[MgAl2O4 鎂鋁尖晶石 襯底基片]
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Ce:YAG晶體具有優(yōu)異機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性的快閃爍材料。Ce:YAG晶體閃爍探測(cè)器是電子成像、beta和X射線計(jì)數(shù)的材料,同時(shí)也被用作電子和X射線的成像屏。Ce:YAG晶體的優(yōu)異的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下Ce:YAG晶體不產(chǎn)生損傷,適合應(yīng)用于高電流環(huán)境。Ce:YAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右,很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測(cè)。在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下,Ce:YAG晶體比Planotec P47具有更好的響應(yīng),在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開始下降,而Ce:YAG晶體的相應(yīng)仍然保持線性增加。盡管Ce:YAG晶體的信號(hào)比P47弱,但是信噪比高,終端信號(hào)更好。Ce:YAG晶體的衰減時(shí)間為60ns。使用中為了避免光敏
感,通常需要鍍50nm的鋁膜。Ce:YAG晶體,提拉法和溫梯法生長,直徑110mm,厚度0.15-150mm
本公司可根據(jù)客戶要求定制不同尺寸的Ce:YAG晶體,并且可提供產(chǎn)品鍍膜服務(wù),具體價(jià)格請(qǐng)咨詢 victoria@meta-photonics.com
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