S34ML01G200TFI000 SPANSION儲存芯片 Cypress 1G NAND

品牌

一般描述
Spansion的S34ML01G200TFI000提供3.3 VCC和VCCQ電源
供應(yīng)，和X8的I/O接口。它的NAND單元為固態(tài)提供了成本效益的解決方案。
大容量存儲市場。內(nèi)存被分為可以單獨擦除的塊，因此可以
有效保存數(shù)據(jù)，同時舊數(shù)據(jù)。頁面大小是（2048 +備用）字節(jié)。
為了延長NAND閃存設(shè)備的使用壽命，ECC的實現(xiàn)是強制性的。
該芯片支持CE #不保健功能。此函數(shù)允許直接從
通過單片機的NAND閃存設(shè)備，由于CE #轉(zhuǎn)換不停的讀操作。
這些設(shè)備具有讀緩存特性，可以提高大文件的讀取吞吐量。在緩存
讀取時，設(shè)備將數(shù)據(jù)加載到高速緩存寄存器中，而以前的數(shù)據(jù)被傳輸?shù)絀/O緩沖區(qū)。
被閱讀。
像所有其他2 KB頁NAND閃存設(shè)備，程序運行通常寫入頁的300?
擦除操作通?？梢栽?毫秒完成（s34ml01g2）在一個128 kb的塊。此外，由于
多平面結(jié)構(gòu)，這是有可能的程序兩頁一次（每一個平面）或抹去兩塊
一次（再一次，每一次）。多平面架構(gòu)允許程序的時間減少了40%，
擦除時間減少50%。
在多平面操作，在頁面中的數(shù)據(jù)可以讀出每一個字節(jié)在25納秒的時間周期。I/O引腳充當(dāng)
用于命令和地址輸入以及數(shù)據(jù)輸入/輸出的端口。此接口允許減少引腳。
計數(shù)和容易遷移到不同的密度，沒有任何重排的足跡。
命令、數(shù)據(jù)和地址是異步采用CE #，
片上程序/擦除控制器自動控制所有讀、程序和擦除功能，包括脈沖。
重復(fù)，在需要的地方，和內(nèi)部核查和數(shù)據(jù)裕。WP #引腳可提供
對程序和擦除操作的硬件保護。
輸出引腳的R / B #（開漏緩沖器）信號在每個設(shè)備的運行狀態(tài)。它確定如果
程序/擦除/讀取控制器當(dāng)前處于活動狀態(tài)。一個開漏輸出的使用允許就緒/忙
從幾個存儲器引腳連接到一個單一的上拉電阻。在一個有多重存儲器的系統(tǒng)中
R／B #引腳可以連接在一起提供一個全局的狀態(tài)信號。
重編程功能允許管理缺陷塊的優(yōu)化網(wǎng)頁時，程序
操作失敗時，數(shù)據(jù)可以直接在同一個數(shù)組中的另一頁中進行編程，而不需要
耗時的串行數(shù)據(jù)插入階段。復(fù)制回操作自動執(zhí)行嵌入式操作。
錯誤檢測操作：每528字節(jié)可檢出4位錯誤。有了這個功能，它就不再
需要使用外部機制來檢測復(fù)制返回操作錯誤。

該裝置可在TSOP48（12×20毫米）封裝

產(chǎn)品圖片

特征:

?OTP（一次性可編程）地區(qū)，這是一個限制訪問的區(qū)域敏感數(shù)據(jù)/代碼可以

保存。

?編號（標識符），它允許設(shè)備標識。

鮮明的特點

-工業(yè)：- 40°C至85°C

封裝尺寸

性能
?頁讀/程序
–隨機存?。?5?S（馬克斯）
-順序訪問：25納秒（min）
–程序時間/多項目時間：300?s（典型值）
?塊擦除（s34ml01g2）
-塊擦除時間：3毫秒（典型值）
?塊擦除/多平面擦除（s34ml02g2，s34ml04g2）
-塊擦除時間：3.5毫秒（典型值）
?可靠性
- 10年數(shù)據(jù)保留（典型值）
零塊是有效的塊，至少有效1000。
程序擦除周期
?封裝選項
-無鉛和Low Halogen
–48引腳TSOP 12 x 20 x 1.2毫米

來源：深圳市浩正芯電子有限公司

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