導電銀膠84-1LMI導電銀膠84-1LMISR4

HenkelAblestikABLEBOND84-1LMISR4是一種單組份、低粘度的導電銀膠。膠流變性能好，適用于高速dieattach封裝，無拉絲和拖尾；純度高，廣泛應用在半導體工業(yè)主要用于半導體芯片的粘貼，適用于全自動機器高速點膠，是目前上出膠速度最快的一款導電銀膠。特點流變性能好，適用于高速dieattach封裝，無拉絲和拖尾；純度高，廣泛應用在半導體工業(yè).Ablebond84-1LMISR4導電銀膠適用于全自動機器高速點膠。Ablebond84-1LMISR4導電銀膠允許最少量膠分配，并降低停留時間，而無殘膠或拉絲的煩惱。特征：分配均勻，殘膠和拉絲量最小。烘爐固化未固化特性檢測說明檢測方法密度3.5g/cc填充劑銀粘性@25℃8000cps觸變指數(shù)5.6使用壽命@25℃18小時保存時間@-40℃1年比重瓶BrookfieldCP51@5rpm粘性@0.5/粘性@5rpm%填充劑物理使用壽命PT-1PT-42PT-61PT-12PT-13固化處理數(shù)據(jù)建議固化條件1小時@175℃或者（1）3-5℃/分升溫到175℃+1小時@175℃這種升溫固化降低結(jié)合面溫度，讓揮發(fā)并增加強度。固化重量損失5.3%載玻片上10×10mm硅芯片PT-80以上數(shù)據(jù)僅為代表數(shù)據(jù)。如需詳細說明，請向我們索取的標準發(fā)布說明。10/00ABLEBOND84-1LMISR4固化前物理化學特性檢測說明檢測方法離子型表面活性劑物5ppm鈉3ppm鉀1ppm傳導性13mmhos/cmpH6重量損失@300℃0.35%玻璃轉(zhuǎn)化溫度120℃熱膨脹系數(shù)低于Tg40ppm/℃高于Tg150ppm/℃動態(tài)拉伸模量@-65℃4380Mpa（640Kpsi）@25℃3940Mpa（570Kpsi）@150℃1960Mpa（280Kpsi）@250℃300Mpa（44Kpsi）吸濕率@飽和0.6%特氟綸燒瓶5gm樣品/20-40篩網(wǎng)5*保持100℃24小時熱解重量分析TMA滲透模式TMA膨脹模式動力熱解分析使用<0.5mm厚度的樣品動態(tài)蒸發(fā)吸附作用85℃/85%RH曝光以后CT-13CT-6CT-7PT-20MT-14MT-9MT-12PT-65固化后電熱特性導熱性2.5W/m。K@121℃體積電阻率0.0001ohm-cmC-MATIC導電檢測器4點探測PT-40PT-46以上數(shù)據(jù)僅為標準數(shù)據(jù)。如果需要詳細說明，請索取我們的標準發(fā)布說明。ABLEBOND84-1LMISR4固化后機械特性檢測說明檢測方法芯片剪切強度@25℃19kg/die芯片剪切強度和溫度@25℃@200℃@250℃21kg/die2.9kg/die1.7kg/die11kg/die2.6kg/die1.4kg/die27kg/die2.4kg/die2.0kg/die85℃/85%RH曝光168小時以后芯片剪切強度@25℃@200℃12kg/die1.8kg/die10kg/die2.5kg/die23kg/die1.8kg/die芯片熱變形@25℃與芯片大小芯片尺寸熱變形7.6×7.6mm（300×300mil）19mm10.2×10.2mm（400×400mil）32mm12.7×12.7mm（500×500mil）51mm碎片熱變形與固化后電熱處理2固化后+絲焊+鑄型烘焙后（1分鐘@250℃）（4小時@175℃）20mm29mm28mm22mm30mm28mm數(shù)據(jù)由改變升溫處理條件獲得。2×2mm（80×80mil）硅芯片3×3mm（120×120mil）硅芯片基材銀/銅引線框架裸銅引線框架鈀/鎳/銅引線框架3×3mm（120×120mil）硅芯片基材銀/銅引線框架裸銅引線框架鈀/鎳/銅引線框架0.38mm（15mil）厚的硅芯片在0.2mm厚的銀/銅引線框架上7.6×7.6×0.38mm（300×300×15mil）硅芯片在0.2mm（8mil）厚的LF上基材銀/銅引線框架裸銅引線框架MT-4MT-4MT-4MT-15MT-15以上數(shù)據(jù)僅為代表數(shù)據(jù)。        北京 汐源科技  01089943450 標簽： 導電銀膠 導電膠 北京導電   導電銀膠 導電膠 北京導電銀膠   北京市導電銀膠   北京市導電銀膠廠家