氮化鋁陶瓷氮化鋁打孔劃線
[氮化鋁打孔
氮化鋁基片]
深圳市陶瓷氮化鋁廠家
[氮化鋁打孔 氮化鋁基片]
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- 加工類型： 激光打孔
- 工件材質(zhì)： 氮化鋁
- 加工產(chǎn)品范圍： 電子元件
- 打樣周期： 1-3天
- 加工周期： 4-7天
- 年最大加工能力： 3600000
- 年剩余加工能力： 2000000
簡要介紹
氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近,強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
詳細參數(shù)
氮化鋁陶瓷基片(AlN)
AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導率大于140W/m.k）、較低的介電常數(shù)（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)（4.4×10－4/℃）等優(yōu)點，化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近,強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
主要應用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料，廣泛應用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。
產(chǎn)品特點
高導熱性
熱膨脹系數(shù)跟Si接近
優(yōu)良的絕緣性能
較低介電常數(shù)和介質(zhì)損耗
| AlN(氮化鋁)陶瓷基片主要性能指標 | |
| 性能內(nèi)容 | 性能指標 |
| 體積密度 (g/cm3) | 3.335 |
| 抗熱震性 | 無裂紋、炸裂 |
| 熱導率 (30℃, W/m.k) | ≥170 |
| 膨脹系數(shù) (/℃, 5℃/min, 20-300℃) | 2.805×10-6 |
| 抗折強度 (MPa) | 382.7 |
| 體積電阻率(Ω.cm) | 1.4×1014 |
| 介電常數(shù)(1MHz) | 8.56 |
| 化學穩(wěn)定性 (mg/cm2) | 0.97 |
| 擊穿強度 (KV/mm) | 18.45 |
| 表面粗糙度(μm) | 0.3~0.5 |
| 翹曲度(length‰) | ≤2‰ |
| 外觀/顏色 | 致密、細晶/ 暗灰色 |
加工設備：
電議
電議
電議
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