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- 加工定制： 是
- 1： 1
2 - 1 ：UV 紫外線—— 促進列解
由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾
值大都在紫外區(qū)域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,
即從價帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成
超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基
具有很強的氧化性,能將絕大多數(shù)的有機物氧化至最終產(chǎn)物 CO2 和 H2O,甚至對一些無機物也分解。
2 - 2 ： 高磁內(nèi)部穿透發(fā)熱，促進拆分分子結構
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