4803 MOSFET管雙P溝道*功率MOS晶體管

4803 MOSFET管雙P溝道功率MOS晶體管

4803mos管采用的溝槽技術(shù)提供具有低柵極電荷的出色RDS（ON），具有低R DS（on）@V GS = -5V，5V邏輯電平控制，雙P溝道SOP8封裝，超過額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞設(shè)備，額定值僅為壓力等級(jí)，長(zhǎng)期暴露于高于推薦操作條件的應(yīng)力可能影響設(shè)備可靠性。

4803mos管該設(shè)備適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用，針對(duì)電源管理進(jìn)行了優(yōu)化便攜式產(chǎn)品的應(yīng)用，例如H橋，變頻器車載充電器及其他。

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