蒸鍍用ITO靶材
低密度ITO源
主要用途:蒸鍍用ITO靶材
物理及化學(xué)特性
化學(xué)式:In2O3/SnO2 =95/5wt%
相對(duì)密度:62%±2
純 度:≥99.99%
外形尺寸:直徑:24.60-25.20mm
厚 度:9.80-10.20mm
外 觀:綠色圓形塊狀,圓柱狀,
顆粒狀(2-4mm,4-6mm,6-10mm,10-15mm)
包 裝:聚乙烯薄膜真空包裝
高密度ITO源
主要用途 :蒸鍍用ITO靶材
物理及化學(xué)特性
相對(duì)密度:99.9%
純 度:≥99.99%
外形尺寸:直徑:24.60-25.20mm
厚 度:9.80-10.20mm
外 觀:灰褐色圓形塊狀,圓柱狀,
顆粒狀(2-4mm,4-6mm,6-10mm,10-15mm)
包 裝:聚乙烯薄膜真空包裝
標(biāo)簽:
涂層鍍膜... 磁控濺射... 濺射沉積... 氧化銦錫... 氧化鋅鋁...
涂層鍍膜ITO靶材 磁控濺射AZO靶材 濺射沉積IGZO靶材 氧化銦錫靶材 氧化鋅鋁靶材 進(jìn)口韓國(guó)ITO靶材 韓國(guó)ANP公司靶材 ANP公司ITO靶材 臺(tái)灣ITO靶材 美國(guó)ITO靶材 日本ITO靶材 ITO靶材回收
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