眾所周知，電子設備產(chǎn)品的電源路線在工作時，由于工作環(huán)境的不確定性和靜電放電等因素，很容易發(fā)展故障或損壞，故需要相應的電路保護元器件為其保駕護航。常見的電路保護元器件有：TVS瞬態(tài)抑制二極管、ESD保護二極管、穩(wěn)壓管、半導體放電管、自恢復保險絲、陶瓷氣體放電管等。雙11還沒來，PC端、移動端關于雙11的各種信息不請自來，鋪天蓋地，所以，在這一節(jié)骨點上，東沃電子也來湊湊熱鬧。實話說在前面，東沃電子要介紹的既不是帥哥也不是美女，而是東沃電子的一款常用電路保護元器件——TVS瞬態(tài)抑制二極管。
瞬態(tài)抑制二極管，個頭雖然不大，但是在電源路線中的作用卻不容忽視。目前，市場上從事TVS瞬態(tài)抑制二極管的供應商不計其數(shù)，東沃電子是其一。在瞬態(tài)電壓抑制TVS二極管研發(fā)、生產(chǎn)方面，東沃電子是專業(yè)、認真的，相關為東沃錦上添花。
一種瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）芯片結構
專 利 號：CN206558507U
類型：實用新型
詳情介紹：本實用新型公開了一種瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）芯片結構，其特征在于：包括N+結構層、N?結構層、P結構層、P+結構層、玻璃保護層、金屬面層。所述芯片N+結構層正面設置為N?結構層，N?結構層正面設置為P?結構層，P?結構層正面設置為P+結構層；臺面附近區(qū)域設置輔助溝槽結構，輔助溝槽結構的表面覆蓋有玻璃保護層。金屬面層包括上金屬面層和下金屬面層。P+結構層正面設置上金屬面層，N+結構層背面設置下金屬面層。本實用新型結構得益的效果：當外加反向電壓時，N型基區(qū)耗盡層被限制在基區(qū)以內(nèi)，其擊穿電壓高于主體結擊穿電壓，使主體結區(qū)域先擊穿，漏電流分布于主體結區(qū)域，而輔助結區(qū)域不發(fā)生擊穿，從而解決了單擴散結結構在生產(chǎn)高電壓芯片時的漏電大，擊穿電壓低，易損壞的問題，提高了高電壓瞬態(tài)電壓抑制器的耐壓性能，同時提高瞬態(tài)電壓抑制器的抗浪涌能力及可靠性。
一種瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）芯片和制造方法
專 利 號：CN107346790A
類型：發(fā)明公布
詳情介紹：本發(fā)明公開了一種瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)芯片及制造方法，其特征在于：芯片臺面附近區(qū)域設計的輔助溝槽結構，當外加反向電壓時，N型基區(qū)耗盡層被限制在基區(qū)以內(nèi)，其擊穿電壓高于主體結擊穿電壓，使主體結區(qū)域先擊穿，漏電流分布于主體結區(qū)域，而輔助結區(qū)域不發(fā)生擊穿，從而提高了高電壓瞬態(tài)電壓抑制器的耐壓性能，同時提高瞬態(tài)電壓抑制器的抗浪涌能力及可靠性。增加P型區(qū)耗盡層結構，改變了P型擴散區(qū)的濃度結構曲線，利用P型擴散區(qū)耗盡層寬度的附加耐壓，將器件的反向耐壓值提高到800伏特以上；增加了N+區(qū)寬度；增寬了高導電率區(qū)域，增強了N+區(qū)對N基區(qū)發(fā)射電子的能力，芯片的正向峰值壓降降低到1.22V及以下。
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東沃電子，電路保護器件者
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