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二硅化鉬靶材 MoSi2靶材磁控濺射靶材電子束蒸發(fā)料

北京市硅化鉬靶材靶材廠家

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牌號： 其他
產(chǎn)地： 其他
鉬含量≥： 99.5%
雜質(zhì)含量： 0.5%
重量： 0.05
靶材： 磁控濺射靶材

二硅化鉬靶材 MoSi2靶材磁控濺射靶材電子束蒸發(fā)料

純度：99.5%

中文名	二硅化鉬	熔點	2030℃
密度	6.24g/cm3	分子量	154.13
EINECS	235-231-8	電阻率	21.5×10-6Ω·cm

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