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[分立器件測試儀]
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概述 EN-2005C測試系統(tǒng)通過PC機(jī)對其內(nèi)部功率源、測試施加條件、測試具體線路進(jìn)行控制,達(dá)到對器件進(jìn)行測試的目的。在一定的測試條件下,這些源與條件負(fù)載按照條件準(zhǔn)確的連接,其中包含了大量的負(fù)載、轉(zhuǎn)換功率源和所要求的外部測試線路。 測試系統(tǒng)特點 IV曲線顯示/局部放大,程序保護(hù)電流/電壓,以防損壞,品種繁多的曲線,可編程的數(shù)據(jù)點對應(yīng),增加線性或?qū)?shù),可編程延遲時間可減少器件發(fā)熱,保存和重新導(dǎo)入入口程序,保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象,曲線數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到EXCEL,曲線程序和數(shù)據(jù)自動存入EXCEL,程序保護(hù)電流/電壓,以防損壞,測試范圍廣(19總大類,27分類) 系統(tǒng)規(guī)格及技術(shù)指標(biāo) 主極電壓: 1mV-2000V 電壓分辨率: 1mV 主極電流: 0.1nA-50A 擴(kuò)展電流: 100A 電流分辨率: 0.1nA 測試精度: 0.2%+2LSB 測試速度: 0.5mS/參數(shù) 工作溫度: 25℃--40℃ 工作濕度: 45%--80% 貯存濕度: 10%--90% 工作電壓: 200v--240v 電源頻率: 47HZ--63HZ 通信接口: RS232 USB 系統(tǒng)功耗: <150w 設(shè)備尺寸: 450mm×570mm×280mm 質(zhì) 量: 35KG 測試范圍 二極管DIODE,晶體管(NPN型/PNP型),J型場效應(yīng)管J-FET,MOS場效應(yīng)管? MOS-FET雙向可控硅TRIAC,可控硅SCR,絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT,硅觸發(fā)可控硅STS 達(dá)林頓陣列DARLINTON,光電耦合OPTO-COUPLER,繼電器RELAY,穩(wěn)壓、齊納二極管ZENER三端穩(wěn)壓器REGULATOR,光電開關(guān)OPTO-SWITCH,光電邏輯OPTO-LOGIC,金屬氧化物壓變電阻MOV,固態(tài)過壓保護(hù)器SSOVP,壓變電阻VARISTOR,雙向觸發(fā)二極管DIAC
半導(dǎo)體分立器件測試系 晶體管測試儀 可控硅測試儀 雪崩耐量測試儀 浪涌測試儀 IPM測試儀 IGBT測試系統(tǒng) 熱阻測試儀
注冊資金:500萬-1000萬
聯(lián)系人:李想
固話:029-86095858
移動手機(jī):15249202572
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