RWP微納米曝氣機(jī)

工作原理 RWP微納米曝氣機(jī)由納米氣泡機(jī)、溶氣系統(tǒng)、釋放系統(tǒng)等組成。RWP微納米曝氣機(jī)通過(guò)納米氣泡機(jī)將氣體和水混合后輸入到溶氣罐，使氣體溶解在水中，繼而通過(guò)釋氣裝置將溶解氣體釋放出來(lái)形成納米氣泡，并以高速射流到水中，射流對(duì)水產(chǎn)生機(jī)械電離作用，在打破污染團(tuán)膠體連接、斷裂污染物與水的化學(xué)鍵和電性吸附結(jié)合的同時(shí)，射入的活性氧、氧離子、電離產(chǎn)生的氫離子和氫氧根離子等氧化分解污染物，實(shí)現(xiàn)水質(zhì)的凈化。 微納米氣泡在水中的溶解率超過(guò) 85%，溶解氧濃度可以達(dá)到飽和濃度以上，并且微納米氣泡 是以氣泡的方式長(zhǎng)時(shí)間存留在水中，可以隨著溶解氧的消耗不斷地向水中補(bǔ)充活性氧，為凈 化處理污水的微生物提供了充足的活性氧、強(qiáng)氧化性離子團(tuán)，并保證了活性氧充足的反應(yīng)時(shí) 間。經(jīng)過(guò) RWP 系列納米氣泡機(jī)處理后還原的潔凈水，水中的溶解氧含量標(biāo)準(zhǔn)為 4ppm，水自身的凈化能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于自然條件下的自凈能力。 使用范圍 應(yīng)用于水體修復(fù)，污水處理，水產(chǎn)養(yǎng)殖，船舶、減阻，黑臭水體等方面。介質(zhì)的 PH 值為：6.5～8.0,介質(zhì)溫度≤50℃ 微納米氣泡的定義 通常我們把氣體在液體中的存在現(xiàn)象稱作氣泡。氣泡的形成現(xiàn)象，在自然界中的許多過(guò)程中都能遇到，當(dāng)氣體在液體中受到剪切力的作用時(shí)就會(huì)形成大小、形狀各不相同的氣泡。目前，對(duì)氣泡的分類與定義并不是十分嚴(yán)格，按照從大到小的順序可分為厘米氣泡（CMB）、毫米氣泡（MMB）、微米氣泡（MB）、微納米氣泡（MNB）、納米氣泡（NB）。所謂的微納米氣泡，是指氣泡發(fā)生時(shí)直徑在10微米左右到數(shù)百納米之間的氣泡，這種氣泡是介于微米氣泡和納米氣泡之間，具有常規(guī)氣泡所不具備的物理與化學(xué)特性。 RWP系列納米氣泡機(jī)特點(diǎn) a可以分解氧化水域中的所有污染物，凈化水底淤泥中的所有污染物，提高水中溶解活性氧量，實(shí)現(xiàn)水域的凈化，恢復(fù)并提高水域的自凈能力，長(zhǎng)期保持水域的凈化環(huán)境。 b低能耗，率。納米氣泡的特性決定了其氧轉(zhuǎn)移率比普通氣泡大大的提高，即在相同的 曝氣強(qiáng)度下，RWP系列納米曝氣機(jī)比普通曝氣機(jī)產(chǎn)生更多的溶解氧，具有更高的生化需氧量（BOD）和氨氮的去除率。 c主體設(shè)備采用不銹鋼材料耐各種腐蝕水體。 d與其他普通納米氣泡機(jī)相比，RWP 系列納米氣泡機(jī)施工安裝簡(jiǎn)便，可選擇固定橋或 浮式安裝，設(shè)備漂浮于水面，無(wú)基礎(chǔ)要求，不受水位變化影響，無(wú)需機(jī)房及任何管道、 泵、閥，不存在堵塞現(xiàn)象。 e設(shè)備噪聲30-50分貝，不影響周邊居民日常生活。 RWP系列納米曝氣機(jī)功能 ①富含微納米氧氣氣泡的水對(duì)動(dòng)植物都具有促進(jìn)生物活性的作用。這是由于微納米氣泡 在水中存在時(shí)間長(zhǎng)，內(nèi)部承載氣體釋放到水中的過(guò)程較慢，因此可實(shí)現(xiàn)對(duì)承載氣體的充分利 用，提供充足的活性氧以促進(jìn)水中生物的新陳代謝活性。向污染的缺氧水域中鼓入微納米氣 泡時(shí)，隨著氣泡內(nèi)溶解氧的消耗不斷向水中補(bǔ)充活性氧，可增強(qiáng)水中好氧微生物、浮游生物 以及水生動(dòng)物的生物活性，加速其對(duì)水體及底泥中污染物的生物降解過(guò)程，實(shí)現(xiàn)水質(zhì)凈化目的。 ②通過(guò)微納米氣泡以高速射入污水中，造成對(duì)污水的機(jī)械電離，微氣泡破裂時(shí)釋放出的 自由基，再加上活性氧和氧離子的綜合作用，把污染物徹 底分解氧化成為沒(méi)有污染和毒 副作用的小分子有機(jī)物。 ③通過(guò)切斷有機(jī)物的化學(xué)鍵對(duì)底泥凈化，使之被分解變成沒(méi)有污染的無(wú)機(jī)物。分解 有機(jī)物的手段包含三個(gè)階段，1.是水質(zhì)還原系統(tǒng)中大量釋放活性氧離子，這種活性氧離子以微納米氣泡形式溶入水中，通過(guò)微納米氣泡的高速旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生大量的水電離，生成更大量的離子和氫離子，這些離子與活性氧離子共同作用，斷裂水底淤泥中有機(jī)質(zhì)的化學(xué)鍵結(jié)合，氧化分解淤泥中的有機(jī)質(zhì)，轉(zhuǎn)變成為沒(méi)有污染作用的無(wú)機(jī)物；2.是凈化 水過(guò)程中產(chǎn)生的酸性氧化物（NO2、SO3、P2O5 等）溶于水成為無(wú)機(jī)酸，能夠氧化分解有機(jī)物；3.是水中的活性氧能夠氧化有機(jī)物分解成分，三個(gè)過(guò)程綜合實(shí)現(xiàn)底泥的凈化。 RWP系列納米氣泡機(jī)安裝及注意事項(xiàng) ①RWP納米氣泡機(jī)的一個(gè)重要特點(diǎn)就是安裝方便，而且非常筒明、易懂不需要的安裝基礎(chǔ)。電源安裝務(wù)必請(qǐng)電工。 ②水體底與電機(jī)在水表面上工作區(qū)域的水深不得淺于 1.50 米。 ③將納米氣泡機(jī)按照說(shuō)明資料組裝完畢在池底或岸邊。在對(duì)稱位置用膨脹釘設(shè)置兩個(gè)適宜的 固定 點(diǎn)用拉索固定，拉索的另一端頭連接在納米氣泡機(jī)的浮筒上將機(jī)器安放在水體的合適位 置將拉索緊固即可。 ④電源線應(yīng)選用可移動(dòng)橡套防水電纜，其中一芯與電機(jī)外殼可靠接地。 ⑤安裝深度應(yīng)對(duì)照技術(shù)參數(shù)表嚴(yán)格控制。不可任意調(diào)節(jié)工作深度。 ⑥開機(jī)后幾秒內(nèi)觀察電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)方向正確，如反轉(zhuǎn)及時(shí)調(diào)整。 ⑦池內(nèi)不可有金屬線、繩子、塑料袋等長(zhǎng)纖維雜物，以免纏繞葉輪和堵 塞進(jìn)水口等部位。 ⑧納米氣泡機(jī)出廠時(shí)配有電器控制系統(tǒng)，工作中當(dāng)控制系統(tǒng)自動(dòng)切斷電源時(shí)，需及時(shí)查明原 因，排除故障后再啟動(dòng)，切不可自由短接后啟動(dòng)使用。 微納米氣泡發(fā)生器特性 1.比表面積大 氣泡的體積和表面積的關(guān)系可以通過(guò)公式表示。氣泡的體積公式為V=4π/3r3，氣泡的表面積公式為A=4πr2，兩公式合并可得A=3V/r，即V總=n?A=3V總/r。也就是說(shuō)，在總體積不變（V不變）的情況下，氣泡總的表面積與單個(gè)氣泡的直徑成反比。根據(jù)公式，10微米的氣泡與1毫米的氣泡相比較，在一定體積下前者的比表面積理論上是后者的100倍。空氣和水的接觸面積就增加了100倍，各種反應(yīng)速度也增加了100倍。 2.上升速度慢 根據(jù)斯托克斯定律，氣泡在水中的上升速度與氣泡直徑的平方成正比。氣泡直徑越小則氣泡的上升速度越慢。從氣泡上升速度與氣泡直徑的關(guān)系圖可知，氣泡直徑1mm的氣泡在水中上升的速度為6m/min，而直徑10μm的氣泡在水中的上升速度為3mm/min，后者是前者的1/2000。如果考慮到比表面積的增加，微納米氣泡的溶解能力比一般空氣增加20萬(wàn)倍。 3.自身增壓溶解 水中的氣泡四周存有氣液界面，而氣液界面的存在使得氣泡會(huì)受到水的表面張力的作用。對(duì)于具有球形界面的氣泡，表面張力能壓縮氣泡內(nèi)的氣體，從而使更多的氣泡內(nèi)的氣體溶解到水中。根據(jù)楊-拉普拉斯方程，?P=2σ/r,?P 代表壓力上升的數(shù)值，，σ代表表面張力，r代表氣泡半徑。直徑在0.1mm以上的氣泡所受壓力很小可以忽略，而直徑10μm的微小氣泡 會(huì)受到0.3個(gè)大氣壓的壓力，而直徑1μm的氣泡會(huì)受高達(dá)3個(gè)大氣壓的壓力。微納米氣泡在水中的溶解是一個(gè)氣泡逐漸縮小的過(guò)程，壓力的上升會(huì)增加氣體的溶解速度，伴隨著比表面積的增加，氣泡縮小的速度會(huì)變的越來(lái)越快，從而溶解到水中，理論上氣泡即將消失時(shí)的所受壓力為無(wú)限大。 4.表面帶電 純水溶液是由水分子以及少量電離生成的H+和OH-組成，氣泡在水中形成的氣液界面具有容易接受H+和OH-的特點(diǎn)，而且通常陽(yáng)離子比陰離子更容易離開氣液界面，而使界面常帶有負(fù)電荷。已經(jīng)帶上電荷的表面傾向于吸附介質(zhì)中的反離子，特別是的反離子，從而形成穩(wěn)定的雙電層。微氣泡的表面電荷產(chǎn)生的電勢(shì)差常利用ζ電位來(lái)表征，ζ電位是決定氣泡界面吸附性能的重要因素。當(dāng)微納米氣泡在水中收縮時(shí)，電荷離子在非常狹小的氣泡界面上得到了快速濃縮富集，表現(xiàn)為ζ電位增加，到氣泡破裂前在界面處可形成非常高的ζ電位值。