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上海市原裝英飛凌IGBT電源功率模塊FF300R12KT4FF300R12KE3 上海市全新原裝英飛凌IGBT模塊

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IGBT電源功率模塊

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蘇州市全新原裝廠(chǎng)家

價(jià)格： 電議

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詳細(xì)信息（上海市原裝英飛凌IGBT電源功率模塊FF300R12KT4FF300R12KE3 上海市全新原裝英飛凌IGBT模塊）

品牌： INFINEON/英飛凌
型號(hào)： FF300R12KT4 FF300R12
控制方式： 雙向
極數(shù)： 二極
封裝材料： 金屬封裝
封裝外形： 平板形
關(guān)斷速度： 高頻(快速)
散熱功能： 帶散熱片
頻率特性： 高頻
功率特性： 中功率
額定正向平均電流： 300
控制極觸發(fā)電流： 300
最大穩(wěn)定工作電流： 300
反向重復(fù)峰值電壓： 1200V
類(lèi)型： 電源模塊
用途： 電源變頻器
應(yīng)用領(lǐng)域： 電工電氣

產(chǎn)品參數(shù)

品牌：INFINEON/英飛凌 型號(hào)：FF300KT4 FF300 控制方式：雙向 極數(shù)：二極 封裝材料：金屬封裝 封裝外形：平板形 關(guān)斷速度：高頻(快速) 散熱功能：帶散熱片 頻率特性：高頻 功率特性：中功率 額定正向平均電流：300 控制極觸發(fā)電流：300

產(chǎn)品特點(diǎn)

江蘇德國(guó)英飛凌IGBT模塊 IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。我們宗旨是“以人為本;以客為尊;以質(zhì)量求發(fā)展;以品質(zhì)求生存”選我放心，各大系列品牌產(chǎn)品也均有現(xiàn)貨，歡迎詢(xún)價(jià)。

產(chǎn)品實(shí)拍

上海鵬森新能源科技有限公司

快速熔斷器 IGBT模塊可控硅模塊二極管模塊 IPM模塊整流橋模塊電力電子半導(dǎo)體器件平板型模塊

公司簡(jiǎn)介

是-家經(jīng)營(yíng)電力電子半導(dǎo)體器件以下各種品牌功率半導(dǎo)體器件

1:日本三社:可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊。

2:德國(guó)西門(mén)康: IGBT模塊;可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二極管。

3:德國(guó)英飛凌: IGBT模塊; PIM模塊;可控硅模塊。

4:德國(guó)艾賽斯:快速恢復(fù)二極管模塊;可控硅模塊。

5:日本三菱: IGBT模塊; IPM模塊; PIM模塊。

6:美國(guó)威士:螺栓二極管;螺栓可控硅。

7:日本東芝: IGBT模塊;整流橋模塊; GTO門(mén)極關(guān)斷可控硅。

8:IGBT無(wú)感吸收電容:美國(guó)CDE;加拿大EACO:德國(guó)EPCOS。

9:英國(guó)西碼:平板型可控硅;平板型二極管;螺栓型可控硅、螺栓型二極管。

10:意大利:平板型可控硅;平板型二極管。

11:英國(guó)達(dá)尼克斯:平板型可控硅;平板型二極管、GTO ]極可關(guān)斷可控硅

12瑞士:平板型可控硅;平板型二極管、GTO門(mén)極可關(guān)斷可控硅。

13:快速熔斷器:美國(guó)BUSSMANN。

我們宗旨是“以人為本;以客為尊;以質(zhì)量求發(fā)展;以品質(zhì)求生存”選我放心，各系列產(chǎn)品也均有現(xiàn)貨，歡迎詢(xún)價(jià)。

手機(jī)網(wǎng)站

上海鵬森新能源科技有限公司

聯(lián)系人：劉女士

手機(jī)：18616197678 QQ：167933882

網(wǎng)站：http://pengsen001.b2b.yihubaiying.com

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