[碳化硅襯底片生產(chǎn)商 碳化硅襯底片廠商 SiC襯底片供應(yīng)商]
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半絕緣型碳化硅襯底片廠商規(guī)格 碳化硅襯底片主要分為導(dǎo)電型和半絕緣型,導(dǎo)電型SiC碳化硅襯底以n型碳化硅襯底為主,主要用于外延GaN基LED等光電子器件、SiC基電力電子器件等,半絕緣型碳化硅襯底片主要用于外延制造GaN高功率射頻器件。高純半絕緣HPSI與SI半絕緣是有區(qū)別的,高純半絕緣載流子濃度3.5*1013~8*1015/cm3范圍,具有較高的電子遷移率;半絕緣是高阻材料,電阻率很高,一般用于微波器件襯底,不導(dǎo)電。 半絕緣型碳化硅襯底片廠商規(guī)格 蘇州恒邁瑞材料科技供應(yīng)2-6英寸半絕緣型4H-SI碳化硅襯底片,厚度500um±25um,晶向<0001>±0.5°。SiC碳化硅晶體結(jié)構(gòu)決定了其獨特的物理,相對于Si和GaAs,SiC碳化硅擁有更為優(yōu)越的物理性質(zhì);禁帶寬度大,接近于Si的3倍,保證器件在高溫工作下的長期可靠;擊穿場強高,是Si的1O倍,保證器件耐壓容量,提高器件的耐壓值;飽和電子速率大,是Si的2倍,增加器件的工作頻率和功率密度;熱導(dǎo)率高,超過Si的3倍,增加了器件的散熱能力,實現(xiàn)設(shè)備的小型化等。
注冊資金:500萬-1000萬
聯(lián)系人:程經(jīng)理
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移動手機:15366208370
企業(yè)地址:江蘇 蘇州市 吳中區(qū)