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供應(yīng) 寬溫內(nèi)存條 ddr4 32G innodisk內(nèi)存條

[寬溫內(nèi)存

工業(yè)內(nèi)存條

innodisk內(nèi)存

寬溫筆記本內(nèi)存

臺(tái)式機(jī)內(nèi)存

ecc 內(nèi)存條]

北京市寬溫內(nèi)存條廠家

價(jià)格： 電議

物流： 北京市昌平區(qū)| 賣(mài)家支付運(yùn)費(fèi)

可銷(xiāo)售總量： 88890件

手機(jī)： 13146512271 郵箱： 546288802@qq.com

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詳細(xì)信息（供應(yīng) 寬溫內(nèi)存條 ddr4 32G innodisk內(nèi)存條）

品牌： 其他
型號(hào)： M4U0-BGS2K5IK
內(nèi)存類(lèi)型： 其他
適用類(lèi)型： 臺(tái)式機(jī)
內(nèi)存頻率： 其他
插腳數(shù)目： 240Pin
顆粒封裝： BGA
包裝： 盒裝

寬溫系列

強(qiáng)固型工規(guī)級(jí)的DIMM系列，是專(zhuān)為極高、極低、或是忽冷忽熱的嚴(yán)峻溫差環(huán)境所設(shè)計(jì)。我們的內(nèi)存模塊皆通過(guò)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，并可在 -40°C~85°C 溫度下運(yùn)作。

概述:

ddr4 WT (寬溫度) udimm 提供了業(yè)界的內(nèi)存速度，2666mt / s-適合任何車(chē)載，監(jiān)視，自動(dòng)化和嵌入式應(yīng)用程序。這些模塊符合所有相關(guān)的 jedec 標(biāo)準(zhǔn)，可以在 -40 °c 到85 °c 的溫度下工作，有4gb，8gb，16gb 和32gb 的容量。 2133mt / s 和2400mt / s 模塊也可用。

規(guī)格：

Interface	DDR4
bbbb Factor	WT UDIMM
Data Rate	2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s
Capacity	4GB, 8GB, 16GB, 32GB
Function	Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number	288pin
bbbbb	64Bits
Voltage	1.2V
PCB Height	1.23 Inches
Operating Temperature	-40°C to 85°C
30μ” Golden Finger	Y
Anti-Sulfuration	Y

產(chǎn)品料號(hào)：

Density		Part Number	Rank	Voltage	Description
4GB	512Mx8	M4U0-4GMSJISJ	1Rx8	1.2V	DDR4 2400 WT UDIMM
8GB	512Mx8	M4U0-8GMSKISJ	2Rx8	1.2V	DDR4 2400 WT UDIMM
16GB	1Gx8	M4U0-AGM1KISJ	2Rx8	1.2V	DDR4 2400 WT UDIMM
32GB	1Gx8	M4U0-BGS2K5IK	2Rx8	1.2V	DDR4 2666 WT UDIMM

宜鼎抗硫化技術(shù)

硫在很多環(huán)境中都很常見(jiàn)，而在工業(yè)環(huán)境下，當(dāng)DRAM中的銀合金接觸硫化氣體時(shí)，就會(huì)發(fā)生腐蝕反應(yīng)，并降低導(dǎo)電性并導(dǎo)致產(chǎn)品失效。宜鼎所推出的專(zhuān)業(yè)抗硫化技術(shù)，通過(guò)抗硫化ASTM B809-95的嚴(yán)格測(cè)試規(guī)范，能有效抵御

環(huán)境中的硫化影響。

提供保護(hù)展現(xiàn)性能

面對(duì)日益嚴(yán)峻的工業(yè)環(huán)境，我們?nèi)詧?jiān)持提供的產(chǎn)品，硫化氣體所帶來(lái)的威脅，我們率先為全系列DDR4都加入抗硫化技術(shù)，為每一件產(chǎn)品提供隔離保護(hù)，以業(yè)界的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，將產(chǎn)品規(guī)格提升。

Innodisk has implemented full anti-sulfuration protection for all DDR4 modules.

抗硫納入標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品極限再突破

硫化物對(duì)于工業(yè)環(huán)境是一個(gè)潛在威脅，環(huán)境中只存在著極少量的硫化氣體，它可能造成設(shè)備腐蝕。宜鼎抗硫化隔離技術(shù)，可以確保DRAM模組運(yùn)行無(wú)虞。

推薦產(chǎn)品：工業(yè)用內(nèi)存模塊

DDR4 RDIMM VLPDDR4 RDIMM

DDR4 ECC UDIMM VLPDDR4 ECC SODIMM

DDR4 Mini ECC VLPDDR4 Mini RDIMM VLP

DDR4 RDIMM VLP

DDR4 RDIMM

DDR4 ECC UDIMM VLP

DDR4 ECC SODIMM

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DDR4 Mini RDIMM VLP

DDR4 RDIMM VLP

DDR4 RDIMM

現(xiàn)今PCB (印刷電路板)已朝向越來(lái)越小、功能越來(lái)越強(qiáng)的趨勢(shì)發(fā)展。當(dāng)PCB上面的焊接點(diǎn)隨之縮小時(shí)，很容易受到高溫與外部壓力的影響，致使芯片松脫、系統(tǒng)不穩(wěn)。而使用Side Fill 技術(shù)使其強(qiáng)固化，則是符合經(jīng)濟(jì)效益的方式。
惡劣環(huán)境，無(wú)所動(dòng)搖
Side Fill 技術(shù)可讓芯片與電路板之間的焊接點(diǎn)更加穩(wěn)固，即使長(zhǎng)期處于惡劣的環(huán)境中，受到的外力沖擊或振動(dòng)，依然不受影響而穩(wěn)定運(yùn)作。

強(qiáng)韌黏著，高熱無(wú)懼
因溫度變化所形成的熱脹冷縮，經(jīng)常造成焊接點(diǎn)脫落或接觸不良，致使系統(tǒng)不穩(wěn)定。透過(guò)點(diǎn)膠 (Side Fill) 技術(shù)，可讓每個(gè)組件擁有更強(qiáng)韌的黏著度而不易與PCB脫落。此外，我們另配有額外的散熱片，可幫助內(nèi)存更快散熱。

超低成本，極

Side Fill 技術(shù)是一種簡(jiǎn)單又經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的強(qiáng)固型解決方案，若您的產(chǎn)品常因環(huán)境影響，造成維護(hù)成本增加，使用Side Fill 技術(shù)進(jìn)行設(shè)備強(qiáng)固化，將會(huì)是好的解決方案。這種做法不僅節(jié)省成本，亦可降低系統(tǒng)當(dāng)機(jī)所帶來(lái)的損失。

標(biāo)簽：寬溫內(nèi)存工業(yè)內(nèi)存... inno... 寬溫筆記... 臺(tái)式機(jī)內(nèi)... 寬溫內(nèi)存工業(yè)內(nèi)存條 innodisk內(nèi)存寬溫筆記本內(nèi)存臺(tái)式機(jī)內(nèi)存 ecc 內(nèi)存條北京市寬溫內(nèi)存條北京市寬溫內(nèi)存條廠家