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[固態(tài)硬盤(pán) 電子盤(pán) SSD 3SE SSD固態(tài)硬盤(pán) 寬溫電子盤(pán)]
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SSD 固態(tài)硬盤(pán)為工控系統(tǒng)所使用的標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)存解決方案。我們的SSD產(chǎn)品系列提供了各種不同規(guī)格,包含1.8吋、2.5吋及其他。
| Model Name | 2.5" SATA SSD 3SE |
| Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
| Flash Type | SLC |
| Type | 2.5" |
| Capacity | 4GB~256GB |
| Max. Channels | 4 |
| Sequential R/W (MB/sec, max.) | 490/430 |
| Max. Power Consumption | 3.0 W (5V x 600 mA ) |
| Thermal Sensor | ST- Optional / WT- Default |
| External DRAM Buffer | N |
| H/W Write Protect | N |
| iCell | N |
| ATA Security | Y |
| S.M.A.R.T. | Y |
| Dimension (WxLxH/mm) | 69.85 x 99.85 x 9.20 |
| Vibration | 20G@7~2000Hz |
| Shock | 1500G@0.5ms |
| MTBF | >3 million hours |
| Storage Temperature | -55°C ~ +95°C |
| Operation Temperature | Standard Grade: 0°C ~ +70°C; Industrial Grade: -40°C ~ +85°C |
| Operation Temp. | 4GB | 8GB | 16GB | 32GB | 64GB | 128GB | 256GB | 512GB |
| Standard Grade (0°C ~ +70°C) | DES25-04GD07AC1DB | DES25-08GD06SCCQB | DES25-16GD06SCCQB | DES25-32GD06SCCQB | DES25-64GD06SCCQB | DES25-A28D06SCCQB | DES25-B56D06SCCQB | DES25-C12D06SCCQT |
| Industrial Grade (-40°C~+85°C) | DES25-04GD07AW1DB | DES25-08GD06SWCQB | DES25-16GD06SWCQB | DES25-32GD06SWCQB | DES25-64GD06SWCQB | DES25-A28D06SWCQB | DES25-B56D06SWCQB | DES25-C12D06SWCQT |
| Operation Temp. | 4GB | 8GB | 16GB | 32GB | 64GB | 128GB | 256GB | 512GB |
| Standard Grade (0°C ~ +70°C) | DES25-04GD07AC1DB | DES25-08GD06SCCQB | DES25-16GD06SCCQB | DES25-32GD06SCCQB | DES25-64GD06SCCQB | DES25-A28D06SCCQB | DES25-B56D06SCCQB | DES25-C12D06SCCQT |
| Industrial Grade (-40°C~+85°C) | DES25-04GD07AW1DB | DES25-08GD06SWCQB | DES25-16GD06SWCQB | DES25-32GD06SWCQB | DES25-64GD06SWCQB | DES25-A28D06SWCQB | DES25-B56D06SWCQB | DES25-C12D06SWCQT |







1.SLC全稱(chēng)是單層式儲(chǔ)存 (Single Level Cell),因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化的區(qū)間小,所以壽命較長(zhǎng),傳統(tǒng)的SLC NAND閃存可以經(jīng)受10萬(wàn)次的讀寫(xiě)。而且因?yàn)橐唤M電壓即可驅(qū)動(dòng),所以其速度表現(xiàn)更好,很多高端固態(tài)硬盤(pán)都是都采用該類(lèi)型的Flash閃存芯片。 2.MLC全稱(chēng)是多層式儲(chǔ)存(Multi Level Cell),它采用較高的電壓驅(qū)動(dòng),通過(guò)不同級(jí)別的電壓在一個(gè)塊中記錄兩組位信息,這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為固態(tài)硬盤(pán)中應(yīng)用為廣泛的MLC NAND閃存,特點(diǎn)就是以更高的存儲(chǔ)密度換取更低的存儲(chǔ)成本,從而可以獲得進(jìn)入更多終端領(lǐng)域的契機(jī)。不過(guò),MLC的缺點(diǎn)也很明顯,其寫(xiě)入壽命較短,讀寫(xiě)方面的能力也比SLC低,官方給出的可擦寫(xiě)次數(shù)僅為1萬(wàn)次,但是一般為3000-10000次. 3.TLC即Triple-Level Cell的縮寫(xiě),是2bit/cell的MLC閃存延伸,TLC達(dá)到3bit/cell,TLC利用不同電位的電荷,一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息,存儲(chǔ)密度理論上較之MLC閃存擴(kuò)大了0.5倍。 TLC特點(diǎn):1、存儲(chǔ)密度高,容量達(dá)到MLC的1.5倍。 2、制造成本低,其價(jià)格較之MLC閃存降低50%。 3、制造工藝僅次于MLC,高于SLC。 4、使命壽命低,500-1000次,理論上的讀寫(xiě)速度慢。
注冊(cè)資金:100萬(wàn)以下
聯(lián)系人:苗利偉
固話(huà):
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