大功率IGBT測試儀 HUSTEC-1600A-MT
[IGBT測試儀
IGBT測試儀設(shè)備
大功率IGBT測試儀
大功率IGBT測試設(shè)備]
深圳市HUSTEC-1600A-MT廠家
價格： 電議
物流： 廣東 深圳市 寶安區(qū)| 賣家支付運費
可銷售總量： 100件
手機： 13008867918 郵箱： chensl@hustec.cn
傳真： 尚未完善 地址： 廣東 深圳市
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- 品牌： 其他
- 型號： HUSTEC-1600A-MT
- 加工定制： 是
- 類型： 電參數(shù)測量儀
- 測量精度： ±1%
- 頻率： 50Hz±1Hz
- 重量： 30kg
- 尺寸： 500（寬）x 450（深）x 250（
HUSTEC-1600A-MT
功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀
產(chǎn)品簡介 Ioducion
HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試。
技術(shù)指標(biāo) Technical Specifications 技術(shù)指標(biāo) ★ 3.4 VGE(th)柵極閾值電壓 VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 3.5 VGE(th) 測試條件與精度 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA； ★ 3.6 VCES集射極截止電壓 VCES：0-5000V±1%±2V； 3.7 VCES 測試條件與精度 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； ★ 3.8 ICES集射極截止電流 集電極電流ICES：0.01～50mA 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 3.9 ICES 測試條件與精度 集電極電壓VCES：50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V； ★ 3.10 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V 3.11 VCE(sat) 測試條件與精度 柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A； ★ 3.12 Iges柵極漏電流 柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA 3.13 Iges測試條件與精度 柵極電壓Vge：±1Ｖ～100V±1%±0.1V；Vce=0V； ★ 3.14 VF正向特性測試 二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～10V±1%±0.01V 3.15 VF正向特性測試 測試條件與精度 電流IF：0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A；
產(chǎn)品測試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容，可升級到3KA/10KV.
VGE可達±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測試方法；
采用插槽式設(shè)計結(jié)構(gòu)，便于升級和維護；
設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測試，晶閘管測試，
自動進行分檔測試，既覆蓋大功率特征下的測試范圍，又可保證小功率器件測試精度
支持單點測試，I-V曲線掃描，還具有曲線對比功能；同一規(guī)格型號，不同批次的產(chǎn)品曲線對比，同一規(guī)格，不同廠家之家的產(chǎn)品曲線對比
開放通訊接口，可以連接探針臺做wafer / chip 測試，也可以連接HANDLE,夾具及適配器做模塊測試,
測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件，WORD報告
￥90000.00
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電議
