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[氮化硅 陶瓷 陶瓷片 熱壓陶瓷 SI3N4]

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  • 產(chǎn)品別名: Si3N4
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 熱壓氮化硅陶瓷薄片廠家 熱壓氮化硅陶瓷薄片定制加工氮化硅陶瓷

 Si3N4 陶瓷材料作為一種優(yōu)異的高溫工程材料,*能發(fā)揮優(yōu)勢的是其在高溫領(lǐng)域中的應用。氮化硅(Si3N4)存在有3種結(jié)晶結(jié)構(gòu),分別是α、β和γ三相。α和β兩相是Si3N4*常出現(xiàn)的型式,均為六角晶形,其分解溫度在空氣中為1800℃,在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數(shù)低、導熱率高,故其耐熱沖擊性。熱壓燒結(jié)的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會破裂。在不太高的溫度下,Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性,但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現(xiàn)破損,使其強度降低,在1450℃以上更易出現(xiàn)疲勞損壞,所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

 

Si3N4 陶瓷的制備技術(shù)在過去幾年發(fā)展很快,制備工藝主要集中在反應燒結(jié)法、熱壓燒結(jié)法常壓燒結(jié)法、氣壓燒結(jié)法等類型. 由于制備工藝不同,各類型氮化硅陶瓷具有不同的微觀結(jié)構(gòu)(如孔隙度孔隙形貌、晶粒形貌、晶間形貌以及晶間第二相含量等)。因而各項性能差別很大 。要得到性能優(yōu)良的Si3N4 陶瓷材料,首先應制備高質(zhì)量的Si3N4 粉末. 用不同方法制備的Si3N4 粉質(zhì)量不完全相同,這就導致了其在用途上的差異,許多陶瓷材料應用的失敗,往往歸咎于*發(fā)者不了解各種陶瓷粉末之間的差別,對其性質(zhì)認識不足。一般來說,高質(zhì)量的Si3N4 粉應具有α相含量高,組成均勻,雜質(zhì)少且在陶瓷中分布均勻,粒徑小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的Si3N4 粉中α相至少應占90%,這是由于Si3N4 在燒結(jié)過程中,部分α相會轉(zhuǎn)變成β相,而沒有足夠的α相含量,就會降低陶瓷材料的強度。

反應燒結(jié)法( RS)

是采用一般成型法,先將/*壓制成所需形狀的生坯,放入氮化爐經(jīng)預氮化(部分氮化)燒結(jié)處理,預氮化后的生坯已具有一定的強度,可以進行各種機械加工(如車、刨、銑、鉆). *后,在硅熔點的溫度以上;將生坯再一次進行完全氮化燒結(jié),得到尺寸變化很小的產(chǎn)品(即生坯燒結(jié)后,收縮率很小,線收縮率< 011% ). 該產(chǎn)品一般不需研磨加工即可使用。反應燒結(jié)法適于制造形狀復雜,尺寸*確的零件,成本也低,但氮化時間很長。

熱壓燒結(jié)法( HPS)

是將Si3N4 粉末和少量添加劑(如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等),在1916 MPa以上的壓強和1600 ℃以上的溫度進行熱壓成型燒結(jié)。英國和美國的一些公司采用的熱壓燒結(jié)Si3N4 陶瓷,其強度高達981MPa以上。燒結(jié)時添加物和物相組成對產(chǎn)品性能有很大的影響。由于嚴格控制晶界相的組成,以及在Si3N4 陶瓷燒結(jié)后進行適當?shù)臒崽幚?,所以可以獲得即使溫度高達1300 ℃時強度(可達490MPa以上)也不會明顯下降的Si3N4系陶瓷材料,而且抗蠕變性可提高三個數(shù)量級。若對Si3N4 陶瓷材料進行1400---1500 ℃高溫預氧化處理,則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相,它能顯著提高Si3N4 陶瓷的耐氧化性和高溫強度。熱壓燒結(jié)法生產(chǎn)的Si3N4 陶瓷的機械性能比反應燒結(jié)的Si3N4 要優(yōu)異,強度高、密度大。但制造成本高、燒結(jié)設備復雜,由于燒結(jié)體收縮大,使產(chǎn)品的尺寸精度受到一定的限制,難以制造復雜零件,只能制造形狀簡單的零件制品,工件的機械加工也較困難。

常壓燒結(jié)法( PLS)

在提高燒結(jié)氮氣氛壓力方面,利用Si3N4 分解溫度升高(通常在N2 = 1atm氣壓下,從1800℃開始分解)的性質(zhì),在1700---1800℃溫度范圍內(nèi)進行常壓燒結(jié)后,再在1800---2000℃溫度范圍內(nèi)進*氣壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化,從而提高陶瓷的強度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點與熱壓燒結(jié)相似。

氣壓燒結(jié)法( GPS)

近幾年來,人們對氣壓燒結(jié)進行了大量的研究,獲得了很大的進展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ~10MPa氣壓下,2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結(jié),在添加較少燒結(jié)助劑情況下,也足以促進Si3N4晶粒生長,而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無論在實驗室還是在生產(chǎn)上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性,可直接制取接近*終形狀的各種復雜形狀制品,從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝,適用于大規(guī)模生產(chǎn)。

 

它是用*作原料,先用通常成型的方法做成所需的形狀,在氮氣中及1200℃的高溫下進行初步氮化,使其中一部分*粉與氮反應生成氮化硅,這時整個坯體已經(jīng)具有一定的強度。然后在1350℃~1450℃的高溫爐中進行第二次氮化,反應成氮化硅。用熱壓燒結(jié)法可制得達到理論密度99%的氮化硅。


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