Hakuto離Hakuto離子蝕刻機7.5IBE 用于刻蝕硅微機械陀螺芯片子蝕刻機7.5IB

某芯片實驗室為了解決芯片濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問題, 引進伯東 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 用于刻蝕硅微機械陀螺芯片. ? Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格: portant;"> 真空腔 portant;"> 1 set, 主體不銹鋼,水冷 portant;"> 基片尺寸 portant;"> 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, portant;"> 離子源 portant;"> ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 portant;"> 離子束入射角 portant;"> 0 Degree～± 90 Degree portant;"> 極限真空 portant;"> ≦1x10-4 Pa portant;"> 刻蝕性能 portant;"> 一致性: ≤±5% across 4” 該實驗室采用的 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75 伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)： portant;"> 離子源型號 portant;"> 離子源 KDC 75 portant;"> Discharge portant;"> DC 熱離子 portant;"> 離子束流 portant;"> >250 mA portant;"> 離子動能 portant;"> 100-1200 V portant;"> 柵極直徑 portant;"> 7.5 cm Φ portant;"> 離子束 portant;"> 聚焦, 平行, 散射 portant;"> 流量 portant;"> 2-15 sccm portant;"> 通氣 portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 portant;"> 典型壓力 portant;"> < 0.5m Torr portant;"> 長度 portant;"> 20.1 cm portant;"> 直徑 portant;"> 14 cm portant;"> 中和器 portant;"> 燈絲 * 可選: 一個陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架 試驗結(jié)果: Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 刻蝕出的芯片表面平整、光滑,解決了濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問題,并提高了刻蝕速率。 若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 : 上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！