離子蝕刻機(jī)10IBE用于提升碳化離子蝕刻機(jī)10IBE用于提升碳化硅微光學(xué)元件的品質(zhì)

某光學(xué)元件制造商為了優(yōu)化碳化硅微光學(xué)元件, 降低碳化硅微光學(xué)元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 對其進(jìn)行優(yōu)化. Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE技術(shù)參數(shù): portant;"> 基板尺寸 portant;"> < Ф8 X 1wfr portant;"> 樣品臺 portant;"> 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) portant;"> 離子源 portant;"> 16cm 考夫曼離子源 portant;"> 均勻性 portant;"> ±5% for 4”Ф portant;"> 硅片刻蝕率 portant;"> 20 nm/min portant;"> 溫度 portant;"> <100 該制造商采用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160 伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)： portant;"> 離子源型號 portant;"> 離子源 KDC 160 portant;"> Discharge portant;"> DC 熱離子 portant;"> 離子束流 portant;"> >650 mA portant;"> 離子動(dòng)能 portant;"> 100-1200 V portant;"> 柵極直徑 portant;"> 16 cm Φ portant;"> 離子束 portant;"> 聚焦, 平行, 散射 portant;"> 流量 portant;"> 2-30 sccm portant;"> 通氣 portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 portant;"> 典型壓力 portant;"> < 0.5m Torr portant;"> 長度 portant;"> 25.2 cm portant;"> 直徑 portant;"> 23.2 cm portant;"> 中和器 portant;"> 燈絲 * 可選: 可調(diào)角度的支架 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 配的是 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蝕室的真空度. 其產(chǎn)品優(yōu)勢: 1.結(jié)構(gòu)緊湊但功能強(qiáng)大的渦輪泵，用于 N2 時(shí)的抽速可達(dá) 685 l/s 2.真空性能，功耗 3.集成的帶 Profibus 的驅(qū)動(dòng)電子裝置 TC 400 4.可在任何方向安裝 5.帶有集成型水冷系統(tǒng)以保證氣體流量 6.通過 M12 插接頭的 Profibus 連接 7.廣泛的配件擴(kuò)展使用范圍 運(yùn)行結(jié)果: 1. 經(jīng)過 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 對碳化硅微納結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕, 以調(diào)控結(jié)構(gòu)的線寬和深度, 使結(jié)構(gòu)表面粗糙度由約106nm降低到11.8nm. 2. 碳化硅菲涅爾波帶片展現(xiàn)出良好的聚焦和成像效果. 若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 : 上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！