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[氮化硅 陶瓷 陶瓷片 熱壓陶瓷 SI3N4]
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熱壓氮化硅陶瓷薄片定制加工氮化硅陶瓷 熱壓氮化硅陶瓷薄片批發(fā)
Si3N4 陶瓷材料作為一種優(yōu)異的高溫工程材料,*能發(fā)揮優(yōu)勢的是其在高溫領(lǐng)域中的應(yīng)用。氮化硅(Si3N4)存在有3種結(jié)晶結(jié)構(gòu),分別是α、β和γ三相。α和β兩相是Si3N4*常出現(xiàn)的型式,均為六角晶形,其分解溫度在空氣中為1800℃,在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱率高,故其耐熱沖擊性。熱壓燒結(jié)的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會破裂。在不太高的溫度下,Si3N4 具有較高的強(qiáng)度和抗沖擊性,但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現(xiàn)破損,使其強(qiáng)度降低,在1450℃以上更易出現(xiàn)疲勞損壞,所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

Si3N4 陶瓷的制備技術(shù)在過去幾年發(fā)展很快,制備工藝主要集中在反應(yīng)燒結(jié)法、熱壓燒結(jié)法和常壓燒結(jié)法、氣壓燒結(jié)法等類型. 由于制備工藝不同,各類型氮化硅陶瓷具有不同的微觀結(jié)構(gòu)(如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶間形貌以及晶間第二相含量等)。因而各項性能差別很大 。要得到性能優(yōu)良的Si3N4 陶瓷材料,首先應(yīng)制備高質(zhì)量的Si3N4 粉末. 用不同方法制備的Si3N4 粉質(zhì)量不完全相同,這就導(dǎo)致了其在用途上的差異,許多陶瓷材料應(yīng)用的失敗,往往歸咎于*發(fā)者不了解各種陶瓷粉末之間的差別,對其性質(zhì)認(rèn)識不足。一般來說,高質(zhì)量的Si3N4 粉應(yīng)具有α相含量高,組成均勻,雜質(zhì)少且在陶瓷中分布均勻,粒徑小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的Si3N4 粉中α相至少應(yīng)占90%,這是由于Si3N4 在燒結(jié)過程中,部分α相會轉(zhuǎn)變成β相,而沒有足夠的α相含量,就會降低陶瓷材料的強(qiáng)度。
熱壓燒結(jié)法( HPS)
是將Si3N4 粉末和少量添加劑(如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等),在1916 MPa以上的壓強(qiáng)和1600 ℃以上的溫度進(jìn)行熱壓成型燒結(jié)。英國和美國的一些公司采用的熱壓燒結(jié)Si3N4 陶瓷,其強(qiáng)度高達(dá)981MPa以上。燒結(jié)時添加物和物相組成對產(chǎn)品性能有很大的影響。由于嚴(yán)格控制晶界相的組成,以及在Si3N4 陶瓷燒結(jié)后進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚?,所以可以獲得即使溫度高達(dá)1300 ℃時強(qiáng)度(可達(dá)490MPa以上)也不會明顯下降的Si3N4系陶瓷材料,而且抗蠕變性可提高三個數(shù)量級。若對Si3N4 陶瓷材料進(jìn)行1400---1500 ℃高溫預(yù)氧化處理,則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相,它能顯著提高Si3N4 陶瓷的耐氧化性和高溫強(qiáng)度。熱壓燒結(jié)法生產(chǎn)的Si3N4 陶瓷的機(jī)械性能比反應(yīng)燒結(jié)的Si3N4 要優(yōu)異,強(qiáng)度高、密度大。但制造成本高、燒結(jié)設(shè)備復(fù)雜,由于燒結(jié)體收縮大,使產(chǎn)品的尺寸精度受到一定的限制,難以制造復(fù)雜零件,只能制造形狀簡單的零件制品,工件的機(jī)械加工也較困難。
它是用*粉作原料,先用通常成型的方法做成所需的形狀,在氮氣中及1200℃的高溫下進(jìn)行初步氮化,使其中一部分*粉與氮反應(yīng)生成氮化硅,這時整個坯體已經(jīng)具有一定的強(qiáng)度。然后在1350℃~1450℃的高溫爐中進(jìn)行第二次氮化,反應(yīng)成氮化硅。用熱壓燒結(jié)法可制得達(dá)到理論密度99%的氮化硅。

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