IRLR3636PBF 貼片TO252 60V 50A MOS場效應管
[全新原裝
MOS場效應管
IRLR3636]
深圳市IRLR3636PBF廠家
價格： 電議
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可銷售總量： 20000件
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[全新原裝 MOS場效應管 IRLR3636]
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IRLR3636PBF
規(guī)格信息：
封裝/外殼：DPAK
FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：50A（Tc）
驅動電壓（大 Rds On，小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值）：6.8 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（大值）：2.5V @ 100?A
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值）：49nC @ 4.5V
Vgs（大值）：±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值）：3779pF @ 50V
功率耗散（大值）：143W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：N 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：50A（Tc）
驅動電壓（大RdsOn，小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（大值）：2.5V @ 100?A
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（大值）：49nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（大值）：3779pF @ 50V
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（大值）：6.8 毫歐 @ 50A，10V
封裝形式Package：DPAK
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：99A
供應商器件封裝：D-Pak
無鉛情況/RoHs：否
