BSS138LT1G 晶體管 > 小信號場效應晶體管
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BSS138LT1G
ON Semicond
安森美]
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詳細信息（BSS138LT1G 晶體管 > 小信號場效應晶體管）
| IHS 制造商 | ON SEMICONDUCTOR |
| 零件包裝代碼 | SOT-23 |
| 包裝說明 | ROHS COMPLIANT, E 318-08, 3 PIN |
| 針數(shù) | 3 |
| 制造商包裝代碼 | 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| | |
| Samacsys Description | MOSFET N-Channel 50V 0.2A SOT23 ON Semiconductor BSS138LT1G N-channel MOSFET Transistor, 0.2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23 |
| Samacsys Manufacturer | ON Semiconductor |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源擊穿電壓 | 50 V |
| 漏極電流 (Abs) (ID) | 0.2 A |
| 漏極電流 (ID) | 0.2 A |
| 漏源導通電阻 | 3.5 Ω |
| FET 技術 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 反饋電容 (Crss) | 5 pF |
| JEDEC-95代碼 | TO-236 |
| JESD-30 代碼 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代碼 | e3 |
| 濕度敏感等級 | 1 |
| 元件數(shù)量 | 1 |
| 端子數(shù)量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 工作溫度 | 150 °C |
| 工作溫度 | -55 °C |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流溫度（攝氏度） | 260 |
| 極性/信道類型 | N-CHANNEL |
| 功率耗散 (Abs) | 0.225 W |
| 認證狀態(tài) | Not Qualified |
| 子類別 | FET General Pure Powers |
| 表面貼裝 | YES |
| 端子面層 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 處于峰值回流溫度下的最長時間 | 40 |
| 晶體管應用 | SWITCHING |
| 晶體管元件材料 | SILICON |
標簽：
晶體管 BSS1 ON S 安森美
晶體管 > 小信號場效應 BSS138LT1G ON Semicond 安森美
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注冊資金：100萬以下
聯(lián)系人：朱先生
固話：0755-21086248
移動手機：18923448837
企業(yè)地址：廣東 深圳市 福田區(qū)
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