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高純硅靶材/粉體 3~6N LOW-E玻璃噴涂靶材可定制

[玻璃鍍膜靶材

磁控濺射靶材

真空鍍膜靶材

TFT-LCD鍍膜材料

low-E鍍膜材料

太陽能電池薄膜材料

陶瓷靶材

靶材粉體]

合肥市硅靶廠家

價(jià)格： 電議

物流： 安徽合肥市肥西縣| 賣家支付運(yùn)費(fèi)

可銷售總量： 10000件

手機(jī)： 19355186968 郵箱： tjtmaterials@163.com

傳真： 0551-65563318 地址： 安徽合肥市

在線詢盤聯(lián)系廠家：19355186968 0551-65563329

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詳細(xì)信息（高純硅靶材/粉體 3~6N LOW-E玻璃噴涂靶材可定制）

產(chǎn)品等級(jí)： 其他
廠家(產(chǎn)地)： 安徽拓吉泰
執(zhí)行質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： ISO9001
純度： 3N

噴涂硅靶材 Spray Si Target

產(chǎn)品說明Product description

以等離子體為熱源，在真空環(huán)境，或負(fù)壓氮?dú)饣驓鍤獗Ｗo(hù)環(huán)境下將Si粉末加熱到熔融或半熔融狀態(tài)并高速?zèng)_擊背管表面形成致密涂層，從而制備出高純度、低氧含量、高致密度Si靶材。

With plasma as the heat source, high purity, low oxygen content, high density Si targets are produced from Si powder. The Si powder is heated to molten or semi-molten state in vacuum or at a negative pressure of nitrogen (N₂) or argon (Ar) and deited on the surface of backing tube at high speed to form dense coatings.

產(chǎn)品特點(diǎn)Products feature

項(xiàng)目 Item	參數(shù) Specifications	檢測(cè)手段 Testing method
純度Purity（Si+B）	≥ 99.99%
密度Density	≥2.2 g/cm³	基米德密度儀 Archimedes densimeter
雜質(zhì)含量Inclusions	Fe +Al+Ca: ≤50 ppm B: ≤100 ppm O: ≤2000 ppm N: ≤500 ppm 雜質(zhì)總和(O、N、B除外): ≤100 ppm Total impurity (excluding O, N, B ): ≤100 ppm	ICP
電阻率 Electrical resistivity	≤10Ω·cm	四探針電阻率儀 Four probe resistivity meter