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高純真空濺射靶材可分為：高純金屬靶材、多元合金靶材、陶瓷濺射靶材、金屬膜電阻器用靶材。高純金屬靶材:鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、硼靶 B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶Si、鉭靶Ta、鋅靶Zn、鎂勒 Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鎳靶Ni、銀靶Ag、不銹鋼靶材等……多元合金靶材;鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr鎳鋁靶Ni-A1、鎳釩靶Ni-V 鎳鐵靶Ni-Fe、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。 影響磁控靶濺射電壓的主要因素有:靶面磁場、靶材材質(zhì)、氣體壓強(qiáng)、陰-陽極間距等。學(xué)者詳細(xì)分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。一、靶面磁場對靶濺射電壓的影響。磁控靶的陰極工作電壓，隨著靶面磁場的增加而降低，也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因?yàn)榘械臑R射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的較好磁鋼的強(qiáng)磁場。因此，靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強(qiáng)的磁場中使用。當(dāng)磁場強(qiáng)度增加到01T以上時(shí)，磁場強(qiáng)度對濺射電壓的影響就不明顯了。鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響，由于大部分磁力線從鐵磁性材料內(nèi)部通過，使靶材表面磁場減少，需要很高電壓才能讓靶面點(diǎn)火起輝。除非磁場非常的強(qiáng)。否則磁性材靶材必須比非磁性材料要演，才能起輝和正常運(yùn)行(永磁結(jié)構(gòu)的Ni靶的典型值小于016cm，磁控靶非特殊設(shè)計(jì)較大值通常不宜超過3mmFeco靶的較大值不超過2mm;電磁結(jié)構(gòu)的靶可以濺射厚一些的靶材，甚至可達(dá)6mm厚)才能正常運(yùn)行。 基于理物相沉積(PVD)的濺射工藝具有薄膜純度高、成膜質(zhì)量好、沉積速度快、工藝穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于集成電路生產(chǎn)制造中具有不可替代性。濺射沉積薄膜的原材料就是靶材，靶材的化學(xué)純度、籌備性能等直接決定了芯片中接觸層、介質(zhì)層、互連層等薄膜的性能，從而影響電子產(chǎn)品的性能和壽命。芯片對濺射靶材的要求非常高，它要求靶材純度要達(dá)到5N(99.999%)以上。在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。