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供應北京四探針測試儀供應商

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北京市探針測試儀廠家

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詳細信息(供應北京四探針測試儀供應商)
型號 LY.4-RTS-8
圖片
簡介
儀器簡介:
LY.4-RTS-8型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的,于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成,測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示,亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結果。
儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。
LY.4-RTS-8型四探針軟件測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序,通過此測試程序輔助使用戶簡便地進行各項測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對測試數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析。
測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù),把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析,然后把測試數(shù)據(jù)以表格,圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看,還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中,讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析


技術參數(shù):
測量范圍 電阻率:10-4~105 Ω.cm(可擴展);
方塊電阻:10-3~106 Ω/□(可擴展);
電導率:10-5~104 s/cm;
電阻:10-4~105 Ω;
可測晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測試臺);
200mmX200mm(配S-2B型測試臺);
400mmX500mm(配S-2C型測試臺);
恒流源 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調
數(shù)字電壓表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;    
分辨力:10μV;
輸入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動顯示;
四探針探頭基本指標 間距:1±0.01mm;
針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
機械游移率:≤0.3%;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力);
四探針探頭應用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行) 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機測量相對誤差 (用硅標樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標準不確定度 ≤5%
計算機通訊接口 并口
標準使用環(huán)境 溫度:23±2℃;
相對濕度:≤65%;
無高頻干擾;
無強光直射;


主要特點:
LY.4-RTS-8型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的,于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成,測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示,亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結果。
儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。
LY.4-RTS-8型四探針軟件測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序,通過此測試程序輔助使用戶簡便地進行各項測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對測試數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析。
測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù),把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析,然后把測試數(shù)據(jù)以表格,圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看,還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中,讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析
 
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