MDC150差異阻垢劑
南京市差異阻垢劑廠家
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| | 晶體修改型阻垢劑 | Argo MDC 150阻垢劑 |
| 阻垢劑類型 | 晶體修改型 | 阻止晶體生成型 |
| 阻垢原料 | 含磷小分子或含磷多元共聚物(有機(jī)膦)與其他高分子聚合物的復(fù)合配方 | 樹枝狀聚合物Dendrimer的高純度單一合成體 |
| 生產(chǎn)工藝 | 買來用于鍋爐或冷卻循環(huán)水阻垢的原料藥劑按一定比例復(fù)合配制,難以保證配方 純度和溶解度 | 擁有科技前沿完整生產(chǎn)線及技術(shù)自行生產(chǎn)合成Dendrimer |
| 阻垢原理 | 促使金屬微晶(Ca2++SO42-=O4)生成后再通過對(duì)晶體生長進(jìn)行修改,阻止微晶長大為 沉淀 | 直接阻止微晶(O4)生成 |
| 阻垢產(chǎn)物 | 大量微晶生成并懸浮于濃水中,當(dāng)其覆蓋 于膜表面時(shí)，則導(dǎo)致反滲透膜污堵 | 無微晶生成 |
| 阻垢劑對(duì)膜的污染影響 | 含磷分子設(shè)計(jì)導(dǎo)致其本身也可與膜表面 生成氫鍵鏈接,從而導(dǎo)致膜的污堵 | 樹枝狀聚合物Dendrimer與膜不會(huì)發(fā)生任何反應(yīng)或附著 |
| 阻垢方式對(duì)膜的污染影響 | 由于其本質(zhì)為較原始的螯和掩蔽,故會(huì)有大量微晶生成,當(dāng)加藥量過大時(shí),微晶會(huì)在 膜表面形成凍膠狀排列,導(dǎo)致膜的污染 | Dendrimer的阻垢方式為完全防止微晶產(chǎn)生,所以不會(huì)在膜表面產(chǎn)生任何污染 |
| 加藥安全性 | 不安全,加藥量超過5ppm后十分容易堵膜 | 安全,1000PPM以上對(duì)膜無傷害 |
| 是否導(dǎo)致膜微生物污染 | 含磷阻垢劑是*營養(yǎng)源,當(dāng)反滲透 進(jìn)水為地表水時(shí)更會(huì)幫助膜系統(tǒng)內(nèi)微 生物滋生 | 自潔特性,可有效抑制藥劑本身幫助膜系統(tǒng)內(nèi)微生物滋生 |
| 對(duì)LSI的阻垢效果 | 一般允許濃水側(cè)LSI<2.5 | 允許濃水LSI<3.0 |
| 對(duì)原水加酸量的影響 | 允許濃水側(cè)LSI<2.5,對(duì)高堿度的原水需要加入更多的酸,才能將LSI調(diào)低到可 阻垢范圍 | 允許濃水側(cè)LSI<3.0,無需加酸,就能安全阻垢 |
| 有效阻垢成分含量比例 | 大于1.2（總分子質(zhì)量／有效阻垢分子質(zhì)量） | 1.002 |
| 雜質(zhì)含量對(duì)阻垢的影響 | 復(fù)配帶來的較多無效雜質(zhì)增加了水中膠體和金屬離子螯合物的不穩(wěn)定性 | 基本無雜質(zhì),阻垢更加穩(wěn)定 |
| 雜質(zhì)含量對(duì)濃縮的影響 | 一般生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)液，含磷單體8倍濃縮 | 復(fù)配或原液 區(qū)域性計(jì)量添加 |
| 雜質(zhì)含量對(duì)密度的影響 | 一般標(biāo)準(zhǔn)液密度為1.15-1.2, 含磷小分子8倍濃縮液密度高達(dá)1.45 | 非均一密度的純凈Dendrimer分子,復(fù)配密度<1.2 |
| 與金屬離子反應(yīng)傾向 | 在Fe等重金屬存在時(shí)有自身沉淀可能,阻垢劑本身會(huì)水解成正鹽,所以有生成難溶性鹽沉淀可能 | 無任何分解沉淀現(xiàn)象 |
| 隨含鹽量升高阻垢的穩(wěn)定性 | 隨原水含鹽量升高,會(huì)發(fā)生阻垢分子纏繞等排列混亂現(xiàn)象,阻垢劑溶解度降低,阻垢分散 性能迅速下降 | 分子排列保持穩(wěn)定,阻垢性能隨含鹽量升高反而增強(qiáng) |
南京方?？萍及l(fā)展有限公司
注冊資金：100萬-500萬
聯(lián)系人：楊經(jīng)理
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