技術(shù)參數(shù)

主機(jī)
1、輻射類型：X，γ
2、探 測(cè) 器：雙GM管
3、測(cè)量范圍：劑量率?? 0.1 μSv/h ~ 10 Sv/h
                         累積劑量 0.01 μSv ~ 10 Sv
4、? 固有誤差：±15%（¹³⁷Cs,0.1μSv/h~100μSv/h）
                             ±10%（¹³⁷Cs,100μSv/h~10Sv/h）
5、響應(yīng)時(shí)間：< 3 s
6、能量響應(yīng)：± 40%（60 keV ~ 1.3 MeV）
7、供電方式：3.7 V / 5.2 ，可充電鋰電池
8、工作時(shí)間：連續(xù)工作大于50 h
9、外殼防護(hù)等級(jí)：IP 65
10、工作環(huán)境：溫度  -25℃~50℃
相對(duì)濕度? 90%（35℃）
11、體 積：寬141 × 高111 mm × 厚38mm
12、重 量：450 g
 

PAB-ZP 閃爍 α β 探頭  
1、探 測(cè) 器：雙閃爍體
2、測(cè)量范圍：0.01 cps ~ 99999 cps
0.01 Bq ~ 999.99 kBq
0.001 Bq/cm² ~ 999.99 kBq/cm²
3、有效靈敏面積：15 cm²
4、本底計(jì)數(shù)：α，≤ 0.5 cpm
β，≤ 1 cps
5、低可探測(cè)下限：
α，0.4 Bq(²³⁹Pu，10 s，置信度95%)
β，2.2 Bq(⁹⁰Sr-⁹⁰Y，10 s，置信度95%)
6、探測(cè)效率：α ≥ 40%（²³⁹Pu，2π，距探測(cè)器5 mm，遮擋率30%）
β ≥ 40%（⁹⁰Sr-⁹⁰Y，2π，距探測(cè)器10 mm，遮擋率30%）
7、活度響應(yīng)：0.2 cps/Bq（²³⁹Pu，ε ≈ 50%）
0.2 cps/Bq（⁹⁰Sr-⁹⁰Y，ε ≈ 50%）
8、尺 寸：60 × 60 ×190 mm（不含手柄）
9、重 量：400 g
?
PEG-NaI 環(huán)境γ探頭

1、輻射類型：X，γ
2、探 測(cè) 器： 55 ×60 mm NaI（Tl）晶體
3、測(cè)量范圍：0.01 ~ 200 ?Sv/h
4、測(cè)量精度：±10%（100 ?Sv/h，¹³⁷Cs）
5、能量響應(yīng)：±30%（40 keV ~ 1.3 MeV）
6、防護(hù)等級(jí)：IP65
7、尺 寸：75 mm ×68 mm×240 mm（不含手柄）
8、重 量：850