供應CREE科銳LED芯片詳細特點

銀漿過多，會遮擋芯片側(cè)面出光，導致成品亮度降低，若銀漿溢出到芯片表面還可能引起短路現(xiàn)象，甚

至死燈。銀漿過少，可能會導致接觸不良，成品燈VF值升高或死燈等現(xiàn)象，另外銀漿變質(zhì)也可能導致上述問題的出現(xiàn)。下圖請參考：

Q：Cree公司的LED芯片亮度通常用mw表示，請問mw和mcd之間如何換算？

A：Cree芯片的亮度一般用輻射功率RF（Radiant Flux）表示，單位是mw。它表示一個光源單位時間里發(fā)出的光能量，與客戶的測量設(shè)備系統(tǒng)相關(guān)。而坎德拉（cd）是指單位立體角內(nèi)的光通量，和封裝的形狀（透鏡形狀）有著很大的關(guān)系。兩者的定義和測量方法都不相同, 因此mw和mcd之間無法換算。

Q：為何20mA分選的芯片，在5mA的電流下使用會出現(xiàn)亮度和顏色不均現(xiàn)象？

A：造成這種現(xiàn)象有以下幾種原因：

  1、 LED芯片的亮度和波長均會隨電流的變化而變化，且變化是非線性的；對于綠光而言，其波長漂移幅度比藍光的更大。

  2、 LED芯片是在20mA恒流條件選的，若在恒壓源下并聯(lián)工作時，由于每個芯片的VF值不同引起電流分配不均，導致波長和亮度出現(xiàn)較大差異。

  關(guān)于亮度、波長和電流關(guān)系的變化曲線請參考Cree的產(chǎn)品規(guī)格書。

Q：芯片中心光軸與支架幾何中心沒有對準會產(chǎn)生什么影響？

  A：這種情況下，對成品而言會出現(xiàn)光強不一致，輻射功率降低，發(fā)光不對稱等現(xiàn)象。請參考下圖：

Q：金球偏離焊盤，會對產(chǎn)品造成什么影響？

A：金球偏出焊盤有可能會導致VF值升高及漏電產(chǎn)生，特別是雙電極芯片的負電，焊線要求更加嚴格

Q：支架杯內(nèi)壁被污染，對產(chǎn)品有何影響？

 A：若支架內(nèi)壁有污染物，將會影響成品亮度，嚴重會影響固晶質(zhì)量，出現(xiàn)其他異常問題，因此固晶前和固晶后務(wù)必保證支架內(nèi)壁的清潔。請參考下圖：

 Q：我們能否自己進行CREE芯片的鑒別？

 A：目前CREE公司的LED芯片種類日益繁多，且已推出雙電極芯片，因此建議客戶送交我司鑒定。

Q: EZBright系列芯片表面被刮傷對芯片有什么影響？

A：CREE EZBright系列芯片表面發(fā)光層屬于微晶結(jié)構(gòu)，缺少保護層，若不慎劃傷芯片表面，將會對芯片發(fā)光層造成損傷，影響出光效率，嚴重者可導致漏電。

Q：EZ1000芯片底部銀漿分布不均，對產(chǎn)品有何影響？

 A：若EZ1000芯片金電極對應底部沒有銀漿覆蓋，極易在打線過程中由于芯片缺少支撐點，而在焊接壓力作用下造成芯片破裂而產(chǎn)生漏電（見下圖），因此須保證芯片四周均被銀漿包圍。

Q: EZ1000芯片如何選擇頂針？選取不當會對芯片有何影響？

A：頂針選擇標準如下：

  選用半徑應大于50，避免使用鋒利式頂針，容易造成底部傷害。