介紹半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于表面污染雜質(zhì),包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài),有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。
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讓硅片變得更薄同樣可以減少硅原料消耗。在過去的十多年中,硅片厚度將變成 100μm. 減少硅片厚度帶來的效益是驚人的,從330μm 到 130μm,光伏電池制造商最多可以降低總體硅原料消耗量多達60%。
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新型線鋸系統(tǒng)現(xiàn)況為了滿足市場對于更低成本和更高生產(chǎn)力的要求,客退二手舊組件回收,新一代線鋸必須提升切割速度,使用更長的硅塊從而提高切割荷載。更細的切割線和更薄的硅片都提升了生產(chǎn)力,同時,的工藝控制可以管理切割線拉力以此保持切割線的牢固性。
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