面臨挑戰(zhàn)切割線直徑更細(xì)的切割線意味著更低的截口損失,也就是說同一個(gè)硅塊可以生產(chǎn)更多的硅片。然而,切割線更細(xì)更容易斷裂。
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荷載每次切割的總面積,等于硅片面積X每次切割的硅塊數(shù)量X每個(gè)硅塊所切割成的硅片數(shù)量 。



其中雙氧水體系清洗方法效果好,環(huán)境污染小。一般方法是將硅片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強(qiáng)氧化性,將有機(jī)物分解而除去;用超純水沖洗后,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的堿性清洗液清洗,由于
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放射示蹤原子分析和質(zhì)譜分析表明,采用雙氧水體系清洗硅片效果好,同時(shí)所用的全部化學(xué)試劑 H2O2、NH4OH、HCl能夠完全揮發(fā)掉。用H2SO4和H2O2清洗硅片時(shí),臟的舊的碎硅片回收,在硅片表面會(huì)留下約2×1010原子每平方厘米的硫原子,用后一種酸性清洗液時(shí)可以完全被。用H2O2體系清洗硅片無殘留物,有害性小,也有利于工人健康和環(huán)境保護(hù)。硅片清洗中用各步清洗液處理后,都要用超純水沖洗。
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