山東半導(dǎo)體探測器|半導(dǎo)體探測器|中核控制(圖)

半導(dǎo)體探測器的應(yīng)用領(lǐng)域

中核控制系統(tǒng)工程有限公司立足高標(biāo)準(zhǔn)、高起點(diǎn)、高水平的經(jīng)營理念，集科研、生產(chǎn)于一體，業(yè)務(wù)范圍涵蓋核工程數(shù)字化控制系統(tǒng)產(chǎn)品研發(fā)、設(shè)計(jì)、系統(tǒng)制造、系統(tǒng)集成、工程實(shí)施及售后服務(wù)等全過程整體解決方案，制造核電子儀器、環(huán)境監(jiān)測儀器、實(shí)驗(yàn)室儀器、堆測量控制儀器、氣體電離探測器、光電倍增管、無機(jī)有機(jī)核探測器、半導(dǎo)體探測器以及與上述業(yè)務(wù)相關(guān)的技術(shù)服務(wù)、產(chǎn)品及技術(shù)進(jìn)出口、代理進(jìn)出口等業(yè)務(wù)。

應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科學(xué)技術(shù)不斷發(fā)展需要[2]  ，科學(xué)家們在鍺鋰Ge(Li)、Si(Li)、高純鍺HPGe、金屬面壘型等探測器的基礎(chǔ)上研制出許多新型的半導(dǎo)體探測器，如硅微條、Pixel、CCD、硅漂移室等，并廣泛應(yīng)用在高能物理、天體物理、工業(yè)、安全檢測、核醫(yī)學(xué)、X光成像、軍事等各個(gè)領(lǐng)域。各大高能物理實(shí)驗(yàn)室?guī)缀醵疾捎冒雽?dǎo)體探測器作為頂點(diǎn)探測器。美國費(fèi)米實(shí)驗(yàn)室的CDF和D0，SLAC的B介子工廠的BaBar實(shí)驗(yàn)，西歐高能物理中心（CERN）LEP上的L3，ALEPH，DELPHI，OPAL，正在建造的質(zhì)子-質(zhì)子對撞機(jī)LHC上的ATLAS，半導(dǎo)體探測器，CMS及日本的KEK，德國的HARA、HARB及Zeus等。ATLAS和CMS還采用了硅微條探測器代替漂移室作為徑跡測量的徑跡室。近些年高能物理領(lǐng)域所有新的物理成果，無不與這些高精度的具有優(yōu)良性能的探測器密切相關(guān)。

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半導(dǎo)體探測器

中核控制系統(tǒng)工程有限公司立足高標(biāo)準(zhǔn)、高起點(diǎn)、高水平的經(jīng)營理念，集科研、生產(chǎn)于一體，業(yè)務(wù)范圍涵蓋核工程數(shù)字化控制系統(tǒng)產(chǎn)品研發(fā)、設(shè)計(jì)、系統(tǒng)制造、系統(tǒng)集成、工程實(shí)施及售后服務(wù)等全過程整體解決方案，制造核電子儀器、環(huán)境監(jiān)測儀器、實(shí)驗(yàn)室儀器、堆測量控制儀器、氣體電離探測器、光電倍增管、無機(jī)有機(jī)核探測器、半導(dǎo)體探測器以及與上述業(yè)務(wù)相關(guān)的技術(shù)服務(wù)、產(chǎn)品及技術(shù)進(jìn)出口、代理進(jìn)出口等業(yè)務(wù)。

工作原理

工作原理空間電荷分布、電場分布及電位分布[5] I區(qū)為完全補(bǔ)償區(qū)，呈電中性為均勻電場；

I區(qū)為耗盡層，電阻率可達(dá)1010Ωcm；I區(qū)厚度可達(dá)10～20mm，為靈敏體積。

工作條件

為了降低探測器本身的噪聲和FET的噪聲，同時(shí)為降低探測器的表面漏電流，鋰漂移探測器和場效應(yīng)管FET都置于真空低溫的容器內(nèi)，天津半導(dǎo)體探測器，工作于液氮溫度(77K)[6]  。對Ge(Li)探測器，由于鋰在鍺中的遷移率較高，須保持在低溫下，以防止Li+Ga-離子對 離解，使Li+沉積而破壞原來的補(bǔ)償； 對Si(Li)探測器，由于鋰在硅中的遷移率較低，在常溫下保存而無長久性的損傷。

存在問題

Li漂移探測器的問題：低溫下保存代價(jià)很高；漂移的生產(chǎn)周期很長，約30～60天。

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