鐵靶|鐵靶多少錢|石久高研

濺射靶材

北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作，為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

   靶材選擇規(guī)程

分類：1.薄膜應(yīng)用分類[1]:半導(dǎo)體功能（HfO2）、磁記錄、巨磁電阻（稀土合金或氧化物類）、顯示技術(shù)（ITO）、超導(dǎo)（Y2BaCu3O7）；2.材料組成：金屬（合金）、氧化物類（Al2O3、SiO、SiO2、TiO2、Ti2O3、ZrO2等）、氟化物類（MgF2、BaF2、YF3、Na3AlF6等）、其它化合物類（ZnS、ZnSe、PbTe等）。

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濺射靶材

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濺射靶材的發(fā)展

各種類型的濺射靶材薄膜材料在半導(dǎo)體集成 電路 (VLSI) 、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等 方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代 以來，鐵靶，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，鐵靶廠，極大地滿足了各種新 型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁 膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù) (如LCD、PDP 、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已 經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新 這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提 出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。

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靶材的主要性能要求

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靶材的主要性能要求

      純度

純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應(yīng)用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”， 8“發(fā)展到12”， 而布線寬度由0.5um減小到0.25um，0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質(zhì)含量

靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

密度

為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

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