蘇州鑫昌盛(圖)_碎單晶硅片回收_單晶硅

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單晶硅制備與仿1真主要有兩種方法：直拉法（Cz法）、區(qū)熔法（FZ法）；

直拉法其優(yōu)點(diǎn)是晶體被拉出液面不與器壁接觸，不受容器限制，因此晶體中應(yīng)力小，同時(shí)又能防止器壁沾污或接觸所可能引起的雜亂晶核而形成多晶。此法制成的單晶完整性好，直徑和長(zhǎng)度都可以很大，生長(zhǎng)速率也高。所用坩堝必須由不污染熔體的材料制成。因此，一些化學(xué)性活潑或熔點(diǎn)極高的材料，由于沒(méi)有合適的坩堝，而不能用此法制備單晶體，而要改用區(qū)熔法晶體生長(zhǎng)或其他方法。

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放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。

等徑生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分