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在高溫下 ,氧化鋯屬于立方螢石型結(jié)構(gòu),因?yàn)閆r4+直徑大于O2-離子直徑,所以可以認(rèn)為,由Zr4+構(gòu)成面心立方點(diǎn)陣,氧化鋯晶體價(jià)錢(qián),占據(jù)1/2的八面體空隙,O2-離子占據(jù)面心立方點(diǎn)陣所有四個(gè)四面體空隙。由于氧化鋯(YSZ)材料具有高硬度,高強(qiáng)度,高韌性,極高的耐磨性及耐化學(xué)腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能,氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機(jī)械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。

在高溫下 ,氧化鋯屬于立方螢石型結(jié)構(gòu),因?yàn)閆r4+直徑大于O2-離子直徑,氧化鋯晶體供應(yīng)商,所以可以認(rèn)為,由Zr4+構(gòu)成面心立方點(diǎn)陣,占據(jù)1/2的八面體空隙,山東氧化鋯晶體,O2-離子占據(jù)面心立方點(diǎn)陣所有四個(gè)四面體空隙。常溫下, 氧化鋯只能是單斜相,當(dāng)用鋯鹽煅燒,達(dá)到650℃時(shí),出現(xiàn)穩(wěn)定的四方相,氧化鋯晶體襯底基片,繼續(xù)升高時(shí)四方相逐步轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡毕?,再繼續(xù)升溫至830℃時(shí), 氧化鋯又開(kāi)始向四方相轉(zhuǎn)變,至1170℃時(shí),完全轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较?,溫度升?370℃時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较?

氧化鋯(YSZ)單晶基片是早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見(jiàn)濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點(diǎn)。
氧化鋯(YSZ)晶體產(chǎn)品規(guī)格:常規(guī)晶向:<100>, <110>, <111>;晶向公差:±0.5°;常規(guī)尺寸:dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm;拋光情況:?jiǎn)螔伝螂p拋,Ra<5A。注:可按客戶(hù)需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。


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