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?鋁酸鑭(LaAlO3)晶體有較低的介電損耗,與ZrO2、 SrTio3、藍(lán)寶石等襯底材料相比,綜合性能更為理想。鋁酸鑭有望代替二氧化硅,用來(lái)作為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管器件新的柵介質(zhì),使半導(dǎo)體工業(yè)在器件尺寸縮小到納米及以下時(shí),繼續(xù)遵從“摩爾定律”。室溫時(shí),鋁酸鑭屬于三方晶系(對(duì)稱群R3c),是立方相中AlO6八面體繞一個(gè)三次軸旋轉(zhuǎn)角度ф形成的。

?LaAlO3晶體是以定化學(xué)配比的La2O3和Al2O3為原料,鋁酸鑭晶體價(jià)格,在200℃下用提拉法生長(zhǎng)的,然后經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)工藝切割和拋光,制成5×10mm2的LaAlO3晶片。鋁酸鑭晶體室溫為三角相,空間群為R3c,屬反鐵電體;在高溫560°以上為立方相,空間群為Pm3m,屬鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)。室溫時(shí),鋁酸鑭屬于三方晶系(對(duì)稱群R3c),鋁酸鑭晶體,是立方相中AlO6八面體繞一個(gè)三次軸旋轉(zhuǎn)角度ф形成的。

鋁酸鑭(LaAlO3)晶體有較低的介電損耗,與ZrO2、 SrTio3、藍(lán)寶石等襯底材料相比,綜合性能更為理想。鋁酸鑭有一定的活性,熱穩(wěn)定性好,被廣泛的應(yīng)用于催化材料,襯底材料,鋁酸鑭晶體單晶供應(yīng)商,高溫超導(dǎo)薄膜基片,合成微波介質(zhì)陶瓷材料,鋁酸鑭晶體廠家,高溫燃料電池,微波介電諧振器等方面。在硅基上生長(zhǎng)鋁酸鑭薄膜,是當(dāng)今國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)一。用基于原子層控制異質(zhì)外延技術(shù),在硅基上實(shí)現(xiàn)了無(wú)界面層外延生長(zhǎng),制備出高介電常數(shù)的鋁酸鑭薄膜,降低了超薄高介電常數(shù)薄膜漏電流,解決了下一代場(chǎng)效應(yīng)器件的關(guān)鍵技術(shù)之一。


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