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脈沖激光沉積的優(yōu)點
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1. 易獲得期望化學(xué)計量比的多組分薄膜,即具有良好的保成分性;
2. 沉積速率高,激光脈沖沉積設(shè)備哪家好,試驗周期短,襯底溫度要求低,激光脈沖沉積設(shè)備,制備的薄膜均勻;
3. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié),對靶材的種類沒有限制;
4. 發(fā)展?jié)摿薮?,具有極大的兼容性;
5. 便于清潔處理,可以制備多種薄膜材料。

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹
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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置:
生長室,進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選,激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED,工作氣壓可達100Pa可預(yù)留法蘭,用于LEED,K-Cell,激光脈沖沉積設(shè)備廠家, E-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器,離子源,掩膜系統(tǒng)等。

脈沖激光沉積系統(tǒng)特點及優(yōu)勢
可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品,靈活性高,并提供專業(yè)的技術(shù)支持;靶臺可以安裝6個靶位,靶材更換靈活;樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用;進樣室可以存儲多個靶和樣品;交易過程無需繁瑣的進、出關(guān)手續(xù), 交貨期短,;
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注冊資金:貳佰萬元
聯(lián)系人:董順
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