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箱式真空鍍膜機(jī)

采用箱式結(jié)構(gòu),真空系統(tǒng)后置,便于操作和維修;整機(jī)表面平整,方便清潔,特別適合放置在凈化間內(nèi)做穿墻式安裝。
設(shè)備真空系統(tǒng)抽速大,具有抽氣時(shí)間短,真空度高,生產(chǎn)周期短等優(yōu)點(diǎn)。
采用管狀加熱器上烘烤,烘烤溫度均勻,壽命長(zhǎng),可達(dá)到烘烤溫度350℃,烘烤均勻性270℃±10℃。
工件轉(zhuǎn)動(dòng)采用上部中心驅(qū)動(dòng),軸承帶水冷,磁流體密封,轉(zhuǎn)動(dòng)平穩(wěn)可靠。
采用石英晶體膜厚控制儀,可實(shí)現(xiàn)鍍膜過(guò)程的自動(dòng)控制。
采用的鍍膜控制系統(tǒng),人機(jī)操作界面美觀實(shí)用,系統(tǒng)穩(wěn)定可靠,可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的手動(dòng)、半自動(dòng)和全自動(dòng)操作。
適用范圍:用于生產(chǎn)IR-CUT濾光片、分色濾光片、高反射膜、AR膜、長(zhǎng)波通、短波通和多種電學(xué)薄膜
真空鍍膜機(jī)真空室形變帶來(lái)的影響為盡量減小真空鍍膜機(jī)真空室形變帶來(lái)的影響,我們將導(dǎo)軌、絲桿等傳動(dòng)件固定于一個(gè)剛性的中間層上,其與真空室底壁之間采用點(diǎn)、線、面活性支撐,以吸收和隔離形變,并設(shè)置形變補(bǔ)償調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),在系統(tǒng)抽真,參照有限元計(jì)算提供的理論數(shù)據(jù)預(yù)設(shè)適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償量,以使其在真空狀態(tài)下達(dá)到平衡。為了驗(yàn)證有限元計(jì)算的結(jié)果,對(duì)真空室的形變和補(bǔ)償進(jìn)行了測(cè)試。步,將四只千分表定位在工作臺(tái)安裝基點(diǎn)的真空壁外側(cè),當(dāng)真空室由大氣抽到真空時(shí),記錄各千分表的變化量,經(jīng)化處理后為用激光自準(zhǔn)直儀調(diào)變補(bǔ)償。

高頻磁控濺射電源昂貴,濺射速率很小,同時(shí)接地技術(shù)很復(fù)雜,因而難大規(guī)模采用。為解決此問(wèn)題,發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶,加入氣體和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕狻.?dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化,與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易,而實(shí)際操作困難。主要問(wèn)題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面,也發(fā)生在陽(yáng)極,真空腔體表面,以及靶源表面。從而引起滅火,靶源和工件表面起弧等。德國(guó)萊寶發(fā)明的孿生靶源技術(shù),很好的解決了這個(gè)問(wèn)題。其原理是一對(duì)靶源互相為陰陽(yáng)極,從而陽(yáng)極表面氧化或氮化。冷卻是一切源(磁控,多弧,離子)所必需,因?yàn)槟芰亢艽笠徊糠洲D(zhuǎn)為熱量,若無(wú)冷卻或冷卻不足,這種熱量將使靶源溫度達(dá)一千度以上從而溶化整個(gè)靶源。

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電弧離子鍍膜設(shè)備
電弧離子鍍膜設(shè)備廠家
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