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感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)廠家-創(chuàng)世威納公司

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等離子體刻蝕廠家

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感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)二

創(chuàng)世威納——專業(yè)感應(yīng)耦合等離子體刻蝕供應(yīng)商,我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設(shè)備的核心結(jié)構(gòu),它對(duì)刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響??涛g腔的主要組成有:上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)等組成。

以上就是關(guān)于感應(yīng)耦合等離子體刻蝕的相關(guān)內(nèi)容介紹,如有需求,歡迎撥打圖片上的熱線電話!








感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)的原理

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,簡(jiǎn)稱ICPE)是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電,感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)生產(chǎn)廠家,產(chǎn)生高密度的等離子體,在下電極的RF 射頻作用下,這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊,基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì),以氣體形式脫離基片,感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)廠家,從真空管路被抽走。

如果需要進(jìn)行刻蝕,和蝕刻后,除污,北京感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī),浮渣,表面處理,等離子體聚合,等離子體灰化,或任何其他的蝕刻應(yīng)用,我們能夠制造客戶完全信任的等離子處理系統(tǒng),以滿足客戶的需要。我們既有常規(guī)的等離子體蝕刻系統(tǒng),感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)品牌,也有反應(yīng)性離子蝕刻系統(tǒng),我們可以制造系列的產(chǎn)品,也可以為客戶定制特殊的系統(tǒng)。我們可以提供快速/的蝕刻,減輕等離子傷害,并提供的均勻性。

等離子體處理可應(yīng)用于所有的基材,甚至復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進(jìn)行等離子體活化、等離子體清洗,等離子體鍍膜也毫無(wú)問(wèn)題。等離子體處理時(shí)的熱負(fù)荷及機(jī)械負(fù)荷都很低,因此,低壓等離子體也能處理敏感性材料。

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感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)四

真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)有兩套,分別用于預(yù)真空室和刻蝕腔體。預(yù)真空室由機(jī)械泵單獨(dú)抽真空,只有在預(yù)真空室真空度達(dá)到設(shè)定值時(shí),才能打開隔離門,進(jìn)行傳送片。刻蝕腔體的真空由機(jī)械泵和分子泵共同提供,刻蝕腔體反應(yīng)生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。

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