地鐵*IGBT測試儀現(xiàn)貨供應(yīng)-華科智源(推薦商家)

14）工控機及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，地鐵IGBT測試儀批發(fā)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，地鐵IGBT測試儀加工，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機：基于Labview人機界面

?數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式；所檢測數(shù)據(jù)可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機處理后可自動列表顯示相應(yīng)測試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測部分內(nèi)容可擴展

3.6VCES集射極截止電壓0~5000V集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；大功率Igbt模塊測試系統(tǒng)簡介我公司所設(shè)計生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動測試系統(tǒng)具備下列測試能力：☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集電極電壓VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射極截止電流0.01～50mA集電極電壓VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集電極電流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降0.001～10V集電極電流ICE：0-1600A集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V集電極電流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges柵極漏電流0.01～10μA柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性測試0.1～5V二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～5V±1%±0.01V電流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；

13）被測器件旁路開關(guān)被測安全接地開關(guān)，地鐵IGBT測試儀，設(shè)備不運行時，被測接地。凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。?電流能力DC 50A?隔離耐壓15kV?響應(yīng)時間150ms?工作方式氣動控制?工作氣壓0.4MPa?工作溫度室溫～40℃?工作濕度<70%14）工控機及操作系統(tǒng)用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；?支持ATX母板；?CPΜ：INTEL雙核；?主板：研華SIMB；?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。?PLC邏輯控制