IGBT測(cè)試儀批發(fā)-華科IGBT測(cè)試設(shè)備

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料技術(shù)要求1）閾值電壓測(cè)試電路閾值電壓測(cè)試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路）?滿足表格9測(cè)試參數(shù)要求?低壓開關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對(duì)上圖電路)?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集電極電流測(cè)試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào)?支撐電容：額定電壓2kV?每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用。集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V

7、測(cè)量配置

7.1 示波器：美國(guó)泰克新5系混合信號(hào)示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速電流探頭；

7.3 高壓差分探頭。

8、測(cè)試參數(shù)應(yīng)包括

8.1 開通：turn on (tdon ， tr ，IGBT測(cè)試儀批發(fā)， di/dt ， Ipeak ， Eon ， Pon )；

8.2 關(guān)斷：turn off (tdoff ， tf ， Eoff ， Ic ， Poff)；

8.3 反向恢復(fù) (Irr，Trr，變頻器用IGBT測(cè)試儀批發(fā)，di/dt，Qrr，Erec)；

8.4 柵電荷：采用恒流驅(qū)動(dòng)，電流可調(diào)范圍：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模塊)測(cè)試：0-20KΩ；

8.8 主要測(cè)試參數(shù)精度偏差 ：< 3 % 。