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厚膜電路芯片-厚博電子(在線咨詢)-厚膜電路

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厚膜電路廠廠家

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v液體光致抗蝕劑感光的有效波長為300—400nm,因此對干膜和液體光致阻焊劑進(jìn)行曝

光的設(shè)備亦可適用于濕膜曝光,曝光量100—300mJ/平方里米。

v

因?yàn)楹婵竞竽拥挠捕冗€不足1H,因此曝光對位時(shí)需特別小心,以防劃傷。雖對濕膜適用

的曝光量范圍較寬,但為了增加膜層的抗蝕和抗電鍍能力,厚膜電路芯片,以取高限曝光為宜。其感光速度與干膜相比要慢得多,所以要使用高功率曝光機(jī)。

v

當(dāng)曝光過度時(shí),正相導(dǎo)線圖形易形成散光側(cè)蝕,造成線寬減小,反之負(fù)相導(dǎo)線圖形形成散 光擴(kuò)大,線寬增加。當(dāng)曝光不足時(shí),膜層上出現(xiàn)、砂眼等缺陷。

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v一般在產(chǎn)品包裝單或產(chǎn)品說明書上都標(biāo)出光致抗蝕層的厚度,可根據(jù)不同的用途選用不

同厚度的干膜。如印制蝕刻工藝可選光致抗蝕層厚度為25μm的干膜,圖形電鍍工藝則需選光 致抗蝕層厚度為40μm的干膜。如用于掩孔,光致抗蝕層厚度應(yīng)達(dá)到50μm。如鍍厚金板還得選用50μm的鍍金干膜,一般情況下, 40μm的干膜都可以滿足正常的要求,在一些廠家, 40μm的干膜都可以做線寬線隙為3MIL的平行線了, 掩孔方面,也可掩住4.5MM以下的孔,當(dāng)然,對那些線路簡單而掩5.0MM以上的孔,選用50μm的干膜.有一些板,線路很密,要掩的NPTH孔又都超過5.0MM,這時(shí)候可以考慮用40μm的干膜,再進(jìn)行二次鉆孔了(既蝕刻后鉆孔)。

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印制電路圖形的導(dǎo)線越來越細(xì)、孔徑越來越小及孔環(huán)越來越窄的發(fā)展趨勢永無停止,芯片間腳間距從1.27mm降到0.75-0.625mm甚至更小。實(shí)際上焊盤尺寸僅比孔徑大0.05mm;當(dāng)孔中心距為1.25mm中間布線0.10mm三根導(dǎo)線,此時(shí)焊盤僅比孔徑大0.12mm。因此焊盤每邊比孔徑大0.06mm。這種規(guī)格要求的印制電路板無論是雙面、多層或SMT用印制電路板以及出現(xiàn)BGA板即球柵陣列一種組裝結(jié)構(gòu)工藝。就BGA用的多層印制電路板板(外層導(dǎo)線寬度為0.10-0.12mm、內(nèi)層導(dǎo)線寬度為0.10mm、間距為0.075mm),
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