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IPM測(cè)試系統(tǒng)

IPM測(cè)試系統(tǒng)

西安市ipm測(cè)試系統(tǒng)廠家

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IPM測(cè)試系統(tǒng)
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詳細(xì)信息(IPM測(cè)試系統(tǒng))
  • 品牌: 西安易恩電氣
  • 型號(hào): ENI1220
  • 加工定制:
  • 類型: 多參數(shù)測(cè)量?jī)x

ENI1220 IPM測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述:

    IPMIntelligent Power Module),即智能功率模塊,是的混合集成功率器件, 不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起。而且還內(nèi)部集成有過電壓,過電流和過熱等故障檢測(cè)電路,并可將檢測(cè)信號(hào)送到CPU。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng),也可以保證IPM自身不受損壞。

    IPM 一般使用 IGBT 作為功率開關(guān)元件,內(nèi)部集成電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路的集成結(jié)構(gòu)。IPM尤其適合于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的變頻器和各種逆變電源,是變頻調(diào)速,冶金機(jī)械,電力牽引,伺服驅(qū)動(dòng),變頻家電的一種非常理想的電力電子器件。

    由于 IPM 中的IGBT 元件的死區(qū)效應(yīng),以及開啟、關(guān)斷時(shí)易產(chǎn)生損壞器件的浪涌電壓和電流, 所以在IPM 設(shè)計(jì)控制信號(hào)時(shí)必須考慮死區(qū)時(shí)間,以避免上、下橋臂的對(duì)管直通短路。同時(shí),采取軟開啟及軟關(guān)斷技術(shù),確保 IPM 安全可靠工作。

IPM模塊需要測(cè)試的特性參數(shù)很多,其中最關(guān)鍵的測(cè)試參數(shù)為開關(guān)特性(時(shí)間特性)的測(cè)量。由于IPM的開通、關(guān)斷時(shí)間極短(uS級(jí)),屬于暫態(tài)瞬變信號(hào),難以準(zhǔn)確捕捉.。該系統(tǒng)在解決了IPM 的控制信號(hào)源以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個(gè)關(guān)鍵技術(shù)的條件下,是一套基于 DSP FPGA的高速實(shí)時(shí)測(cè)試系統(tǒng),選擇中心對(duì)準(zhǔn) SPWM 波形作為IPM控制信號(hào)源,檢測(cè) IPM 的開關(guān)特性參數(shù)以及電壓電流諧波特性,并對(duì)器件的故障信息給予判斷處理。

測(cè)試功能:

測(cè)試范圍

測(cè)試參數(shù)

IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,VEC,
UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),
ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

                配置短路測(cè)試:

電壓

電流

標(biāo)配

選配

標(biāo)配

選配

1200V

2200V

200A

600A

4500V

1000A

6000V

2000A

短路測(cè)試

項(xiàng)目

范圍

誤差

分辨率      

100V~1200V

±3%

10V

測(cè)試電流

10A~75A

±3%

1A

短路電流

100A~500A

±3%

1A

短路時(shí)間

1 uS~10uS

可調(diào)

可調(diào)

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聯(lián)系人:李想

固話:029-86095858

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