Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于芯片去層

某芯片設(shè)計(jì)機(jī)構(gòu)研究部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于芯片去層. 伯東貿(mào)易(深圳)有限公司是日本伯東株式會(huì)社的附屬公司，后者為東京交易所主板之上市公司(號(hào):7433)。 從1973年在香港成立起，伯東在電子及半導(dǎo)體行業(yè)已有超過四十年的經(jīng)驗(yàn)。伯東是各電子元器件產(chǎn)家的合作伙伴及高科技設(shè)備的理商。 通過中港之間訂立CEPA的獨(dú)特優(yōu)勢, 伯東進(jìn)一步壯大了在中國的根基，并于2005年成立了 伯東貿(mào)易(深圳)有限公司。 有賴于母公司強(qiáng)而有力的支援及已植根的銷售和服務(wù)網(wǎng)絡(luò), 伯東將持續(xù)保持于中國市場的地位。 ? Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格: 真空腔 1 set, 主體不銹鋼,水冷 基片尺寸 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, 離子源 ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 離子束入射角 0 Degree～± 90 Degree 極限真空 ≦1x10-4 Pa 刻蝕性能 一致性: ≤±5% across 4” 該 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75 伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)： 離子源型號(hào) 離子源 KDC 75 Discharge DC 熱離子 離子束流 >250 mA 離子動(dòng)能 100-1200 V 柵極直徑 7.5 cm Φ 離子束 聚焦, 平行, 散射 流量 2-15 sccm 通氣 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 典型壓力 < 0.5m Torr 長度 20.1 cm 直徑 14 cm 中和器 燈絲 無論對(duì)于工藝設(shè)計(jì), 還是生產(chǎn)控制或者缺陷分析, 去層分析是一種重要手段, 芯片本身多層結(jié)構(gòu)（Passivation, metal, IDL）可一層一層去除, 也就是芯片去層（Delayer）, 通過層次去除（Delayer）可逐層檢視是否有缺陷, 并可提供后續(xù)實(shí)驗(yàn), 清楚呈現(xiàn)出每一層電路布線結(jié)構(gòu).