Hakuto離子蝕刻機(jī)20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體 離子蝕刻機(jī)20IBE

某廠商研發(fā)部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體進(jìn)行拋光加工, 用以單點(diǎn)金剛石車削（SPDT）后 KDP 晶體表面留下的周期性小尺度波紋. Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)如下: 離子蝕刻機(jī) Ф4 inch X 6片 基板尺寸 < Ф3 inch X 8片 < Ф4 inch X 6片 < Ф8 inch X 1片 樣品臺(tái) 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉(zhuǎn) 離子源 20cm 考夫曼離子源 均勻性 ±5% for 8”Ф 硅片蝕刻率 20 nm/min 溫度 <100 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 產(chǎn)品圖如上圖, 其主要構(gòu)件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺(tái). 如下圖： Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220. 伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù): 離子源型號(hào) RFICP 220 Discharge RFICP 射頻 離子束流 >800 mA 離子動(dòng)能 100-1200 V 柵極直徑 20 cm Φ 離子束 聚焦 流量 10-40 sccm 通氣 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 典型壓力 < 0.5m Torr 長(zhǎng)度 30 cm 直徑 41 cm 中和器 LFN 2000 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的樣品臺(tái)可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實(shí)現(xiàn)樣品均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高樣品的加工質(zhì)量. Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700. 通過采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 刻蝕后, 單點(diǎn)金剛石車削后的表面由初始的6.54nm RMS, 經(jīng)過 1.76nm RMS 的平坦化層, 最終刻蝕轉(zhuǎn)移到 KDP 晶體表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面. 若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 : 上海伯東 : 羅先生 臺(tái)灣伯東 : 王女士 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!