價(jià)格: 電議
物流: 暫無(wú)物流地址| 賣(mài)家支付運(yùn)費(fèi)
可銷(xiāo)售總量: 0件
手機(jī): 15021780029 郵箱: isa-ye@hakuto.com.cn
傳真: 尚未完善 地址: 上海市 上海市
郵箱:
手機(jī):
某光學(xué)器件制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 應(yīng)用于光學(xué)器件精密加工, 通過(guò)蝕刻工藝提高光學(xué)器件的聚酰亞胺薄膜的表面光潔度. Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 技術(shù)參數(shù) Φ4 inch X 12片 基片尺寸 Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 均勻性 ±5% 硅片刻蝕率 20 nm/min 樣品臺(tái) 直接冷卻,水冷 離子源 Φ20cm 考夫曼離子源 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220 伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù): 離子源型號(hào) RFICP 220 Discharge RFICP 射頻 離子束流 >800 mA 離子動(dòng)能 100-1200 V 柵極直徑 20 cm Φ 離子束 聚焦, 平行, 散射 流量 10-40 sccm 通氣 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 典型壓力 < 0.5m Torr 中和器 LFN 2000 采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 可以使 PV、RMS分別為1.347μm和340nm的粗糙表面, 通過(guò)蝕刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分別為61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 該刻蝕工藝能有效提高光學(xué)器件聚酰亞胺薄膜的表面光潔度. 若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 : 上海伯東 : 羅先生 臺(tái)灣伯東 : 王小姐 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
高低溫試驗(yàn)箱 離子源 制冷劑 真空閥門(mén)
注冊(cè)資金:500萬(wàn)-1000萬(wàn)
聯(lián)系人:朱珠
固話:021-63811212
移動(dòng)手機(jī):15021780029
企業(yè)地址:上海市 上海市 長(zhǎng)寧區(qū)