上海伯東 KRI 射頻離子源典型應(yīng)用 IBE離子蝕刻
[KRI
離子源
離子蝕刻
霍爾源]
上海市離子源廠家
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KRI 射頻離子 源典型應(yīng)用 IBE 離子蝕刻
客戶案例一: 上海伯東美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子 源 RFICP 220, RFICP 380 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機(jī), 8英寸量產(chǎn)型金屬刻蝕機(jī)中, 實(shí)現(xiàn) 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領(lǐng)域.
作為蝕刻機(jī)的核心部件, KRI 射頻離子 源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
客戶案例二: 射頻離子 源 RFICP 220 集成于半導(dǎo)體設(shè)備, 實(shí)現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
------------ 上海伯東美國 KRI 射頻離子 源 RFICP 220安裝于蝕刻機(jī)中--------
客戶案例三: KRI 射頻源安裝在日本 NS 離子蝕刻機(jī)中, 對應(yīng)用于半導(dǎo)體后端的 6寸晶圓進(jìn)行刻蝕
Hakuto (NS) 離子蝕刻機(jī)技術(shù)規(guī)格:
| 型號 | NS 7.5IBE | NS 10IBE | NS 20IBE-C | NS 20IBE-J |
| 適用范圍 | 適用于科研院所,實(shí)驗(yàn)室研究 | 適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究 | 適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī) | 適合大規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī) |
| 基片尺寸 | Φ4 X 1片或 | φ8 X 1片 | φ3 inch X 8片 | Φ4 inch X 12片 |
| 離子 源 | 8cm 或 10cm | 10cm NS離子 源 | 20cm 考夫曼離子 源 | 20cm 考夫曼離子 源 |
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子 源, 電子供應(yīng)器, 中和器, 電源控制等
RFICP 系列離子 源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子 源, 霍爾離子 源和射頻離子 源. 美國考夫曼離子 源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)磚利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子 源中國總代理.
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伯東企業(yè)(上海)有限公司
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