EDS 10IC元器件半導體靜電放電發(fā)生器泰思特

EDS 10IC元器件半導體靜電放電發(fā)生器泰思特 3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發(fā)生器(EDS 10IC靜電放電發(fā)生器針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設計，可以對LED、晶體管、IC等半導體器件進行靜電抗擾度的測試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應標準的要求，同時完全滿足上述所有標準中嚴酷等級的靜電電壓要求。 undefined 3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發(fā)生器(特點： 全新三代控制平臺 ，觸摸屏智能化控制。 自動識別阻容模塊，并調整大電壓。 低電壓5V，1V步進調節(jié)電壓 可完成單次或自動放電測試，可設置次數(shù)、頻率等參數(shù)。 Human Body Model (HBM) Machine Model (MM) ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009 JEDEC JESD22- A114E Jan.2007 ANSI /ESD-STM5.1 2007 MIL-STD-883G 28 Feb.2006 ANSI/JEDEC JS-001-2010 JEDEC JESD22- A115C Nov.2010 技術參數(shù) HBM 短路電流參數(shù) 放電電容 100 pF 放電電阻 1500 Ω 峰值電流Ips 0.17 A +10% @250 V 0.33 A +10% @500 V 0.67 A +10% @1000 V 1.33 A +10% @2000 V 2.67 A +10% @4000 V 上升時間 2 ns~10 ns 脈沖寬度 150 ns + 20 ns 振鈴幅度 <15%峰值電流 HBM 500歐電阻電流參數(shù) 峰值電流Ipr 375 mA~550 mA @ 1000V 1.5 A~2.2 A @ 4000V Ipr/Ips ≥ 63% 上升時間 5 ns~25 ns MM短路電流參數(shù) 放電電容 200 pF 放電電阻 0 ? 峰值電流Ip1 0.44 A +20% @25 V 0.88 A +20% @50 V 1.75 A +10% @100 V 3.5 A +10% @200 V 7.0 A +10% @400 V Ip2/Ip1 67%~90% 周期 66 ns~90 ns MM 500歐電阻電流參數(shù) 峰值電流Ipr 0.85 A~1.2 A @ 400 V 100 ns電流值 I100 0.23 A~0.40 A @ 400 V I200/I100 30%~55% 通用參數(shù) 輸出電壓 HBM 5 V~8000 V (5%+5V) MM 5 V~1000V (5%+5V) 極性 正、負或正負交替 頻率 0.1 Hz~5 Hz 觸發(fā)次數(shù) 1~999次 觸發(fā)方式 自動，手動，外觸發(fā) 輸入電源 AC 100 V ~240 V ，+10% 50 Hz /60 Hz 環(huán)境溫度 15℃~35℃ 儲藏溫度 -10℃~50℃ 相對濕度 25%~75% 尺寸 450 mm x320 mm x190 mm(長x寬x高) 重量 約10 kg