碳化硅雪崩測(cè)試儀 上?？蒲性核?

一、碳化硅雪崩測(cè)試儀，是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量。但是，一些電源在輸出短路時(shí)，初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級(jí)電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生極的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。 該設(shè)備主要組成單元有：示波器、程控電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器等 設(shè)備優(yōu)勢(shì) 采用示波器實(shí)時(shí)采集記錄測(cè)試波形，通過(guò)高精度、高帶寬的柔性電流探頭、高壓探頭直接采集被測(cè)器件的雪崩電壓和雪崩電流測(cè)試數(shù)據(jù)。測(cè)試結(jié)果真實(shí)準(zhǔn)確。 任意電感值采用程控切換方式，測(cè)試過(guò)程自動(dòng)快速。 設(shè)備具有二極管測(cè)試和MOS/IGBT自關(guān)斷測(cè)試兩種工作模式。 整體采用輪式機(jī)柜集成測(cè)試，具有簡(jiǎn)潔的人機(jī)交互界面（計(jì)算機(jī)）和良好的保護(hù)措施，操作簡(jiǎn)單，移動(dòng)方便等特點(diǎn)。 波形具有實(shí)時(shí)顯示和保存功能，測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)可轉(zhuǎn)化excel進(jìn)行保存處理。 二、 使用要求 進(jìn)線電壓： AC220V±10% 功率消耗； 1.5KW 三、 技術(shù)指標(biāo) 電源電壓：10-200V 分辨率1V,誤差3% 雪崩電壓：100-3500V 實(shí)測(cè)范圍值（根據(jù)客戶要求可定制） 雪崩能量：實(shí)測(cè)1-100J 實(shí)測(cè)計(jì)算值 雪崩電流：1.0-200A 實(shí)測(cè)值。分辨率1V,誤差3%（根據(jù)客戶要求可定制測(cè)試范圍） 電感： 0.1-100mH任選測(cè)試值，測(cè)試過(guò)程自動(dòng)執(zhí)行，誤差5% 雪崩電壓波形：近似方波 脈沖寬度：10uS-10000uS 測(cè)試頻率：?jiǎn)未?、步進(jìn) 核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn)，參數(shù)測(cè)試設(shè)備： 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試 等）；雪崩能力測(cè)試，老化測(cè)試 可控硅/晶閘管（參數(shù)測(cè)試設(shè)備： 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試。