igbt參數測試設備 深圳新能源汽車

一、igbt參數測試設備是晶閘管靜態(tài)參數檢驗測試中不可缺少的測試設備。 該套測試設備主要有以下幾個單元組成： 1) 門極觸發(fā)參數測試單元 2) 維持電流測試單元 3) 阻斷參數測試單元 4) 通態(tài)壓降參數測試單元 5) 電壓上升率參數測試單元 6) 擎住電流 7) 門極電阻 8) 計算機控制系統(tǒng) 9) 合格證標簽打印 10) 夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具 二、技術條件 主要技術指標： 2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT 1. 陽極電壓：12V; 2. 陽極串聯電阻：6Ω; 3. 門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V±3%±10mV; 4. 門極觸發(fā)電流：2～450mA±3%±1 mA; 2.2 維持電流測試單元IH 1. 陽極電壓：12V; 2. 預導通電流： ＞10A,正弦衰減波； 3. 維持電流： 2～450mA ±5%±1 mA; 4. 測試頻率：單次； 2.3 通態(tài)壓降測試單元VTM 1. 平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%； 2. 模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%； 3. 電流上升沿時間：≥5ms； 4. 通態(tài)壓降測試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%； 5. 測試頻率：單次； 2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元 1. 阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%； 模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV 2. 正反向自動測試： 3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA； 精度：±5%±1 mA； 4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值；在測試時電壓或漏電流超過所 設定的范圍則自動保護。 5. 測試頻率： 50HZ 2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt 1. 電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%； 2. 電壓過沖范圍：＜50V±10% 3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%； 2.6 擎住電流IL：100-1800mA 2.7 平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動加壓方式 三、功能概述 3-1測試功能范圍 該套測試設備主要可測試以下參數： 1. 門極參數測試：VGT、IGT 2. 維持電流測試：IH 3. 阻斷參數測試：本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數。 4. 壓降單元 本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數。 5、 電壓上升率參數測試：dv/dt 6、 擎住電流IL 7、 門極電阻：適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試 3-2、測試方法和測試準則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關于晶閘管測試的具體規(guī)定。 通過我們自己研發(fā)的各種產品，比如像半導體器件測試儀，加快了半導體各類材料、半導體器件和工藝的開發(fā)，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；諸如IGBT靜態(tài)參數測試系統(tǒng)、IGBT動態(tài)參數測試系統(tǒng)，它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求，是檢測半導體器件的關鍵設備；還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數測試儀、二極管電參數測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設備等產品，做的也是相當的出彩，這就是我對我們的產品十分的有信心，這就是我們團隊所有的力量。質量是企業(yè)長遠生存的根基，是企業(yè)競爭的免死，質量在心中，責任在肩上，誠信在言行中，相信我們標準，控在品質！