晶體管圖示儀
西安市晶體管圖示儀廠家
郵箱：
手機：
- 品牌： 西安易恩電氣
- 型號： ENJ2005-C
- 控制方式： 其他
- 極數(shù)： 其他
- 封裝材料： 金屬封裝
- 封裝外形： 平板形
ENJ2005-C晶體管圖示儀
系統(tǒng)特征：
● IV曲線顯示/局部放大
● 程序保護電流/電壓,以防損壞
● 品種繁多的曲線
● 可編程的數(shù)據(jù)點對應
● 增加線性或?qū)?shù)
● 可編程延遲時間可減少器件發(fā)熱
● 保存和重新導入入口程序
● 保存和導入之前捕獲圖象
● 曲線數(shù)據(jù)直接導入到EXCEL
● 曲線程序和數(shù)據(jù)自動存入EXCEL
● 測試范圍廣（19大類、27分類）
曲線測試：
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
測試參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
間接參數(shù)：IL
配置規(guī)格：
| 配置 | 規(guī)格/環(huán)境 | ||
| 主極電壓 | 1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280（mm） |
| 電壓分辨率 | 1mV | 質(zhì) 量 | 35kg |
| 主極電流 | 0.1nA-50A | 工作電壓 | 200V-240V |
| 擴展電流 | 100A | 電源頻率 | 47Hz-63Hz |
| 電流分辨率 | 0.1nA | 工作溫度 | 25℃-40℃ |
| 測試精度 | 0.2%+2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
| 測試速度 | 0.5mS/參數(shù) | 系統(tǒng)功耗 | <150w |
測試范圍：
| 01 | 二極管 / DIODE |
| 02 | 晶體管 / NPN型/PNP型 |
| 03 | J型場效應管 / J-FET |
| 04 | MOS場效應管 / MOS-FET |
| 05 | 雙向可控硅 / TRIAC |
| 06 | 可控硅 / SCR |
| 07 | 絕緣柵雙極大功率晶體管 / IGBT |
| 08 | 硅觸發(fā)可控硅 / STS |
| 09 | 達林頓陣列 / DARLINTON |
| 10 | 光電耦合 / OPTO-COUPLER |
| 11 | 繼電器 / RELAY |
| 12 | 穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER |
| 13 | 三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR |
| 14 | 光電開關(guān) / OPTO-SWITCH |
| ......其它器件共19大類27分類 | |
西安誼邦電子科技公司
注冊資金：100萬-500萬
聯(lián)系人：楊先生
固話：029-68967080
移動手機：13759984767
企業(yè)地址：陜西 西安市
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